cmos传感器

按素结构分：主动式+被动式；

主动式像素结构：Active Pixel Sensor.简称APS，又叫有源式。

像素内引入缓冲器或放大器可改善像素的性能。
在Cmos APS中每一像素内都有自己的放大器。
集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低“封装密度”,使40%～50%的入射光被反射。

传感器多通道放大器间有较好的匹配，可通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。

因Cmos APS像素内的每个放大器，仅在此读出期间被激发，所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。

填充因数与量子效率，这填充因数（Fill Factor）,又叫充满因数,它指像素上的光电二极管相对于像素表面的大小。

 

 

被动式像素结构：Passive Pixel Sensor.简称PP）,又叫无源式。
组成：由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。
光敏二极管本质上组成：一个由P型半导体+N型半导体组成的PN结。
可等效：一个反向偏置的二极管+一个MOS电容并联。|
 

当开关管开启时，光敏二极管与垂直的列线Column bus连通。
位于列线末端的电荷积分放大器，读出电路Charge integrating amplifier，保持列线电压为一常数，当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平。

同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。