下图中线路的引线电感（LPCB+LS+LD）及引线电阻RPCB与MOS场效应管的输出电容COSS形成了RLC串联回路

 

如下图a所示，对此回路进行分析如下：

当上桥MOSFET开通时， 相当于开关S闭合， 电源给RLC回路充电， 回路的KVL方程为：

假设t=0时，i=0，U_=0，

则方程的解有三种形式：

1<1，即R²<4 二时为欠阻尼状态，此时电容上的电压波形如上图(b)中的a曲线所示。

Uc=VDD[1-cos(wt+j) ]

其中 ，振荡角频率，谐振频率

 

 

由上式可以看出，振荡频率要比RLC回路的谐振频率略低。

 

1=1，即R²=4二时为临界阻尼状态，此时电容上的电压波形上图中(b)中的b曲线所示。

Uc=VDD[1-

其中-1>1，即R²>4二时为过阻尼状态，此时电容上的电压波形如上图中(b)中的c曲线所示。

WOe titch(w't+j) ]

Uc=VDD[1-ch(w't+j)

其中 ，振荡角频率，谐振频率

下桥体二极管对振铃的影响

上述计算中忽略了下桥

 

MOS场效应管体二极管对振铃的影响

由桥式拓扑结构分析：当管有反向恢复电流，流过，这样就改变了RLC振荡电路的初始条件，即初始条件变为：

t=0时， i=I yr·U.=0，
此时电感里储存的能量为： 因此相比初始电流i=o，U2=0时的幅值，此时的振铃幅值会更高。因此MOSFET的体二极管恢复特性对振铃也起着至关重要的作用。 实际应用中，一般下桥体二极Q小并具有较软恢复特性的MOSFET， 其引起的振铃会相应较小。

抑制相线振铃的措施由以上分析可知，要抑制相线

 

振铃必须做到：

1.尽量减小回路的引线电感.这需要在布线时使上述回路的面积最小且使用较宽的导线；

2.增加RC吸收电路减小振铃；

3.减小上桥关断速度，路中的di/dt；