振铃危害

振铃干扰半桥芯片正常工作波形

 

半桥驱动MOS场效应管工作时的波形

当上桥逻辑输入为高时，上桥MOS场效应管开通，相线CH2上产生振铃，振铃通过线路的杂散电容耦合到上桥自举电压，造成上桥的VBS电压CH4）过低，让驱动芯片进入欠压保护，上图中VBS的电压已跌至5V。

 

上图，当Hin（CH1）有脉冲输入时，因振铃， MOS场效应管有时不能正常打开。

因：驱动IC进入了欠压保护。

欠压保护并不是每个周期都会出现。

因此，在测试时，应设置适当的触发方式来捕获这样的不正常工作状态。

 

如果振铃振幅很大，则驱动器将不能正常工作，导致电机不能启动。

因此，自举电容最好为能滤除高频的陶瓷电容，即使是使用电解电容也要并联陶瓷电容来耦。

 

 

最小化相线负压

在设计MOS场效应管半桥驱动电路时，注意相线上负压对驱动芯片的危害。

当上桥关断后，线圈电流会经过相应的下桥续流，一般认为下桥体二极管会将相线电压钳位于-0.7V左右，但事实并非完全如此。

 

上桥关断前，下桥的体二极管处于反向偏置状态，当上桥突然关断，下桥进入续流状态时，由于下桥体二极管由反向偏置过渡到正向偏置需要电荷漂移的过程，因此体二极管并不能立即将电压钳位在-0.7V，而是有几百纳秒的时间电压远超过0.7V如上图的相线负压。

线路主回路中的寄生电感及快速变化电流（Ldi/dt），会让相线负压增加。

让要相线负压变小，可通过减缓上桥关断的速度从而减小回路中的di/dt或减小主回路寄生电感的方式来实现。