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时间:2021/11/16 阅读:2268 关键词:MOS场效应管
雪崩电流在功率MOS场效应管的数据表中标示为IAV,雪崩能量代表功率MOSFET抗过压冲击的能力。
最大雪崩电流
在测试过程中,选取一定的电感值,然后将电流增大,即功率MOS场效应管开通的时间增加,关断,直到功率MOSFET损坏,对应的最大电流值即最大的雪崩电流。
在数据表中,标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理,因此它是一个可以保证的参数。
一些功率MOS场效应管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测,因为有降额,因此不会损坏器件。
注意事项:
测量雪崩能量时,功率MOS场效应管工作在UIS非箝位开关状态下,因此功率MOSFET不是工作在放大区,而是工作在可变电阻区和截止区。因此最大的雪崩电流通常小于最大的连续的漏极电流值ID。
采用的电感值越大,雪崩电流值越小,但雪崩能量越大,生产线上需要测试时间越长,生产率越低。电感值太小,雪崩能量越小。目前低压的功率MOSFET通常取0.1mH,此时,雪崩电流相对于最大的连续的漏极电流值有明显的改变,而且测试时间比较合适范围。