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  • 简化非隔离开关应用高压MOS场效应管控制器-竟业电子

       时间:2021/11/9       阅读:723    关键词:MOS场效应管

     

    非隔离开关

    芯片上高功能集成高压开关功率消耗很小,但分额定静态电流约为100μA

    低负载,提供100毫安的输出电流,并且7引脚SO封装减少了系统的尺寸和成本。

     

    可用切换器建立各种转换器拓扑结构,如降压、降压升压和反激式,具有最少数量的外部元件。

    TI公司的UCC8880在单片集成了控制器和700 V功率MOS场效应管

    还集成了片上高压电流源。

    简化非隔离开关应用高压MOS场效应管控制器

     

    为了快速地评估切换器IC,创建基于UCC8880(PMP850)参考设计它提供了一种使用高边降压配置的非隔离AC/DC解决方案;
    120毫安间产生13 VDC12.8 VDC间的调节固定输出,如下图所示:

    简化非隔离开关应用高压MOS场效应管控制器

    参考设计采用歇斯底里模式,所以不需要环路补偿,减少材料清单(BOM)计数到少数外部组件,该电路的测量性能表明,对于160 VDC输入,总效率是70%以上
    在低到高负载变化时,随着输入电压增加到320 VDC如下图所示,其效率下降一点点。
    由于输出电压调节是好的,输出在13 VDC12.8 VDC之间在低到高负载之间变化,

    基准设计原型的测试结果瞬态响应和江见干涉得到了满意的结果。

    一种非隔离AC/DC方案的图像

    简化非隔离开关应用高压MOS场效应管控制器

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