如下图所示N channel Power MOS场效应管 IC的断面构造，本MOSFET的gate与source之间，亦即gate pad的周围设有可以防止静电破坏的保护二极体，因此它又称为body diode。

马达驱动电路与断电电源供应器(UPS)等DC-AC转换inverter等应用的场合，保护二极管可以充分发挥它的特性。

 

下图所示MOSFET的结构分类，由图可知MOS场效应管结构上可以分成纵型与横型两种type；
纵型type还分成平板(planer)结构与沟槽(trench)结构两种。

表1是上述结构特征与主要用途一览。

 

 

纵型构造

纵型构造适用于高耐压/低ON阻抗MOS场效应管，目前中/高耐压(V DSS =200V)的MOS场效应管大多采用纵型结构。虽然部份低耐压(V DSS =100V)的MOS场效应管也使用纵型结构，不过一般要求低容量、高速switching特性的场合，平板(planer)结构比较有利；

要求低ON阻抗特性时，则以沟槽(trench)结构比较适合。最近几年制程与加工设备的进步，沟槽结构的MOSFET在低容量化(低Qg，Qgd化)有相当的进展，因此从应用面观之纵型与沟槽结构的MOSFET，两者的低容量化特性已经没有太大差异。

如上所述纵型结构的MOSFET具备高耐压、低ON阻抗、大电流等特征，所以适合当作switching元件使用。

横型构造

横型构造最大缺点是不易符合高耐压/低ON阻抗等要求，不过它低容量特性尤其是逆传达容量(归返容量)C rss 非常小。如图2(b)所示，gate与source之间的容量被field plate遮蔽(shield)，因此结构上非常有利。