开关电源应用中，主功率开关用N沟道MOS场效应管很广泛。
原因：成本低，速度快，导通阻抗低。
N沟道MOS场效应管应用于高边开关，在栅极MOSFET的栅极驱动必要。

驱动器必需能够承受在开关切换时，猛烈的电压波动，和能够驱动栅极电压在电源正极电压高的MOS场效应管。
一般情况，栅极驱动电压 > 电路中直流电源最高电压。

N沟道MOS场效应管高边直接驱动
简单应用中，可以是PWM控制器驱动或接地驱动器
只要符合以下要求：

典型应用电路原理图如下，一个可选pnp关断电路。

 

忽略pnp晶体管的断开，此结构与以地为参考的原理图相比。
因漏极和直流输入端相连，开关动作发生在器件的源极端。
它仍具有相同开关时间间隔的感应开关。
但是从栅极驱动设计看，它是一个完全不同的回路。

栅极驱动电流不能回到源极的地端，相反,它必须经过负载,与器件的源极相连。

在不间断的电感电流模式下，栅极充电电流必须经过输出电感和负载；
而在连续电感电流模式下，回路却可以通过控制整流二极管的pn结被打断。
在断开时候，栅极放电电流通过连接地和MOSFET的源极的整流管。
在所有的工作模式中, 电容Cgd的充放电电流都流过功率级的高频旁路电容。

原因：栅极驱动系统中，有更多组件和更大的环路区域，造成更大的源极自感应系数。
源极电感对栅极驱动电路有不良的反馈效果，让电路的开关动作变慢。
高边直接去驱动的另一个差异：电路的开关节点——源极的动作。

注意：MOS场效应管截止期间的源极的波形，可看到大负电压。复杂开关行动如下图所示：


 

因栅极和地的相连使MOS场效应管截止，MOSFET的输入电容通过放电很快就被调节到了Miller平衡电压。
此时它还在工作,整个负荷电流流过漏极和源极，电压降很小。
在Miller区,MOSFET作为源极的跟随器。

源极和栅极同时下降，Vds增大，Vgs固定在Miler水平。
栅极驱动阻抗和器件的Cgd电容限制了dv/dt的大小。
一旦源极电压下降了0.7V或者是-0.7V，整流二极管使开关节点固定到接近地的位置。

源极电压会短时间内降到低于地,直到整流二极管经过它的恢复过程,
电流克服了现有的寄生电感效果。

在负载电流完全从MOS场效应管转移到二极管后，开关节点可以回到它的最终的电压状态，低于地一个二极管的电压。

源极电压负漂移表现一种典型栅极驱动电路的问题。
缓慢的二极管、高寄生电感值会导致对MOS场效应管的源极过多的负反馈电压，也可以使驱动器的输出端低于地端。为了保护驱动，低压降肖特基二极管可以连接输出和地端，如下图：


 

当栅极电压=0时
栅极放电电流=0
如果进一步对栅极进行作用，场效应晶体管就开始逆转，最后系统会达到一个非常微妙的平衡点，即栅极放电电流，和通过寄生电感的电压降在器件中di/dt大小一样。

电路在负电压时，如上电路随意的断开提速电路也不能提供有效地帮助。
当栅极电压降到VBE时，pnp晶体管会处于截止状态，而场效应晶体管会处在负电压暂态中。

在主开关处于截止状态，注意容许的噪声的上限。
源极电压要<地几百毫伏，而栅极则保持在大约0.7伏。
此时源极有关的，通过栅极的电压很危险，它接近于阈值电压，尤其是处于高温的逻辑级设备。