RF 功率 MOS场效应管最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。

 

以前RF功率MOS场效应管使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。

后期，硅基LDMOS效应管失真小、线性度好、成本低等，成为主流技术。
 

手机基站中功率放大器的输出功率范围从5W到超过250W，RF功率MOS场效应管是手机基站中成本最高器件。

 

如：手机基站中RF部分成本约6.5万美元，功率放大器成本达4万美元。

 

RF 功率MOS场效应管在无线电通讯领域也有应用，其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上，同时也应用于电视，特别是数字电视功率放大器、雷达系统和军事通讯中。

 

新一代无线通讯技术快速发展和应用越来越广泛，RF功率MO场效应管市场前景乐观，但国内RF芯片和器件自主产品不到1%。