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  • 英飞凌infineon IRF3205S优势及参数-MOS场效应管知识-竟业电子

       时间:2021/6/30       阅读:1136    关键词:MOS场效应管

     

    英飞凌infineon MOS场效应管IRF3205S优势

    SOA的平面单元结构

    为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化

    符合JEDEC标准的产品鉴定

    硅优化应用开关低于100千赫

    工业标准表面贴装电源组件

    高载流能力封装(高达195A,取决于芯片尺寸)

    能被波浪焊接的

     

    D2-Pak封装中的55VN沟道HEXFET功率MOSFET

    为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化

    符合JEDEC标准的产品鉴定

    10V栅极驱动电压优化(称为正常电平)

    工业标准表面贴装电源组件

    高载流能力封装(高达195A,取决于芯片尺寸)

    能被波浪焊接的

     

    英飞凌infineon MOS场效应管 IRF3205S参数   Datasheet下载

     

    英飞凌infineon IRF3205S参数

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