MOS场效应管结构中与之相关的阈值电压Vth，它负责在元件中创建导电通道的最小栅极电压，在漏极与源极间允许电流流动，如下图所示，阈值电压高于Vgs栅极驱动器电压数量。

 

t0→t1导通过渡开始点，Id漏极电流=0

Vgs=t1时，即移动到Vth，Id增加，

准阈值电压概念：即为在导通过程中与t1的时间相对应的栅极驱动电压的值。

负温度系数结温度升高，t1量减少。

Lss'上电压发生变化，阈值电压与结温度间的现有关系改变。

 

SiC MOS场效应管的开尔文源极和电源Lss'间存在寄生电感，存在以同步方式突然升高电压的高端可能性，电压的上升即反映出此寄生电感。

如下图所示

四引脚SiC MOS场效应管等效电路

 

如下图所示

 

完整过程，新颖方法提取准确Vth

由电源端子和辅助电源端子间接通电源驱动时，寄生电感上电压下降的时间决定。

上图框图即测量电流法。

电路三部分：驱动+比较+采样保持

 

驱动功能：通过切换到较大驱动电阻来测量准Vth。

TMS320F28335产生的PWM信号隔离驱动SiC MOS场效应管。

比较：将Vss'中存在模拟脉冲转换为逻辑信号。

采样：差分放大器AMP1用于在接通瞬态阶段间获得Vgs。

SiC MOS场效应管Vgs后是电容器C，准Vth由闭合JFET保持。

 

如下图所示

即实验完成测试。

实验电路组成：双脉冲测试电路+续流二极管+驱动器环路+负载电感被测设备。

 

执行实验完整设置

测试设备:SiC MOS场效应管+TO-247+双脉冲测试板安装设备，

J946温度控制器提供热量，它实则对分立设备中闭环温度的控制。

如下图所示，用红外热像仪捕获条状芯片。

阈值电压与结温成线性关系

当结36°C升高118°C，准Vth变0.358V，负载电流10 A变28 A，

即电流变化无影响，直流母线电压影响大。

原因：电容器Cgd，Vds的增加，导致准Vth测量值变小，且其值随电压从200 V增加600 V而减小。