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  • MOS场效应管关断过程电路图及关断四个阶段-竟业电子

       时间:2021/9/22       阅读:4695    关键词:MOS场效应管

     

    MOS场效应管的关断过程恰好和它的导通过程相反。
    电压VGS下图VDRV开始,电流从下图的最大负载电流IDC开始漏源电压由MOS场效应管的电流IDC和导通阻抗决定。
    原理电路如下图
    MOS场效应管关断过程电路图及关断四个阶段

    一个完整关断四个阶段如下图:

    MOS场效应管关断过程电路图及关断四个阶段

    第一个阶段是关断延迟,需要电容CISS从最初值电压放电到Miller平坦区水平。
    期间电容CISS提供栅极电流,流入MOS场效应管的电容CGSCGD
    器件的漏极电压随着过载电压的减小而略微的增大。
    此阶段漏极电流几乎不变。

     

    第二个阶段,管子的漏源电压从IDC·RDS(On)增加到最终值(VDS(off)
    第一个原理图可知它是由整流二极管强制决定的。
    在这一阶段,即相当于栅极电压波形的Miller平坦区,栅极电流完全是电容CGD的充电电流因为栅源电压是不变的。
    这个电流由电源级的旁路电容提供而且它是从漏极电流减掉的。
    总的漏极电流仍然等于负载电流,也就是第一个原理图直流电源表示的感应电流。

     

    二极管的导通预示着

    第三个阶段的开始,二极管给负载电流提供另一通路。
    栅极电压从VGSMiller降到Vth大部分的栅极电流来自于电容CGS,因为事实上电容CGD在前一个阶段是充满电的。
    MOS场效应管处于线性工作区,而且栅源电压的降低将会导致漏极电流的减小,在这个阶段的最后漏极电流几乎达到0
    整流二极管的正向偏置漏极电压将维持在VDS(off)

     

    截止过程的

    个阶段是器件的输入电容完全放电。

    电压VGS进一步减小到0
    占栅极电流较大比例部分的电流,和截止过程的第三阶段一样,由电容CGS提供。
    器件的漏极电流和漏极电压保持不变。

     

    四个阶段里,场效应晶体管可在最大阻抗和最小阻抗间变换。
    四个阶段的时间是寄生电容、所需电压变化、栅极驱动电流的函数。
    突出在高速、高频开关应用设计中器件选择部分和栅极最适合工作条件的重要性。

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