MOS场效应管的关断过程恰好和它的导通过程相反。
电压VGS从下图的VDRV开始，电流从下图的最大负载电流IDC开始，漏源电压由MOS场效应管的电流IDC和导通阻抗决定。
原理电路如下图


一个完整关断四个阶段如下图：

第一个阶段是关断延迟，需要电容CISS从最初值电压放电到Miller平坦区水平。
此期间电容CISS提供栅极电流，流入MOS场效应管的电容CGS和CGD。
元器件的漏极电压随着过载电压的减小而略微的增大。
此阶段漏极电流几乎不变。

第二个阶段，管子的漏源电压从IDC·RDS(On)增加到最终值（VDS(off)）。
第一个原理图可知它是由整流二极管强制决定的。
在这一阶段，即相当于栅极电压波形的Miller平坦区，栅极电流完全是电容CGD的充电电流因为栅源电压是不变的。
这个电流由电源级的旁路电容提供而且它是从漏极电流减掉的。
总的漏极电流仍然等于负载电流，也就是第一个原理图直流电源表示的感应电流。

二极管的导通预示着

第三个阶段的开始，二极管给负载电流提供另一通路。
栅极电压从VGS，Miller降到Vth，大部分的栅极电流来自于电容CGS，因为事实上电容CGD在前一个阶段是充满电的。
MOS场效应管处于线性工作区，而且栅源电压的降低将会导致漏极电流的减小，在这个阶段的最后漏极电流几乎达到0。
因整流二极管的正向偏置漏极电压将维持在VDS(off)。

截止过程的

第四个阶段是器件的输入电容完全放电。

电压VGS进一步减小到0。
占栅极电流较大比例部分的电流，和截止过程的第三阶段一样，由电容CGS提供。
器件的漏极电流和漏极电压保持不变。

四个阶段里，场效应晶体管可在最大阻抗和最小阻抗间变换。
四个阶段的时间是寄生电容、所需电压变化、栅极驱动电流的函数。
突出在高速、高频开关应用设计中器件选择部分和栅极最适合工作条件的重要性。