时间:2021/11/22 阅读:4047 关键词:MOS场效应管
自举电容取值相关因素
1.上桥MOS场效应管的栅极电荷QG
2.上桥驱动电路的静态电流IQBS
3.自举电容的漏电流ICBS(leak)
4.驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS
电容最小容量计算公式:
F=工作频率
VF=自举二极管正向压降
VLS=下桥器件压降或上桥负载压降
自举电容应该要在每个开关周期内,提供足够和以上电荷,才保持电压基本不变,否则VBS会有电压纹波且非常大,也可能会低于欠压值VBSUV,致上桥无输出并停止工作。
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