次级同步整流电路

低导通电阻QgN沟道MOS场效应管应用于次级同步整流电路

目前设计都把同步整流功率MOS场效应管放在低端。

优点：驱动简单。

缺点：因输出的地相对是浮动，会产生EMI。

 

解决办法：系统中有辅助浮驱电源，可将N沟道同步整流功率MOS场效应管放在高端。

 

应用案例中解决方案

48V输入系统热插拨通讯系统

48V系统热插拨的功率MOS场效应管，用N沟道类型放低端，直接驱动。

缺点：输出地会产生浮动的问题。

用P沟道的功率MOS场效应管放在高端，驱动简单。

缺点：此电压规格P沟道功率管的导通电阻大，高成本。

半导体公司用热插拨控制芯片，在芯片内部集成充电泵，实现自举浮动。

 

 

实现输入防反接功能

因浮地，二个背靠背的功率管不能放在低端，即不能串联接入输入地，必须放在高端，即串联接入输入电源的正端回路。

以前这二个背靠背的功率管都采用P沟道的MOS场效应管，现在的系统对于成本和功耗的要求越来越高，P沟道的功率MOSFET的导通电阻大，正常工作的时候，静态功耗也比较大，成本高，选型种类少。

解决高端自举驱动：半导体公司开发针对笔记本电脑应用的集成负载开关和电池充电等功能的控制芯片，在芯片内部集成充电泵，实现自举浮动。

 

电视机或笔记本电脑等应用中，板上的5V、3.3V等电源的负载开关，仍然采用驱动简单的P管作为控制管。