RF功率LDMOS场效应管：有横向沟道结构功率MOS场效应管。

基本结构为LDMOS场效应管，用双扩散技术在同一窗口相继进行硼→磷两次扩散→通过两种杂质横向扩散的结深之差精确控制沟道长度。

原理结构图如下所示：

LDD结构

轻掺杂的LDD区：多晶栅边缘 → 漏端，可承受源漏间的高电压。

LDD区域电荷和长度优化后，可让源漏穿通电压达到最大值。

得最大源漏穿通电压条件：LDD区域电荷密度约=1011 cm-2~1013cm-2。

 

P+埋层

连接表面源端和P+衬底；

工作时，电流从表面源极通过P+埋层→P+衬底→从背面引出。

此无需要另从正面引线引出，可降低反馈电容电感，提高频率特性。

 

P+ 加强区和金属屏蔽

P+加强区：保证电流从表面的源端通过金属，流向P+埋层。
金属屏蔽结构：让多晶栅靠LDD区边缘电压降低，避免热电子注入效应。

 

P+衬底和P-外延层

器件一般会让P+硅衬底加一定厚度P-外延层。
P+衬底：源端能很好地从背面引出；
P-外延层：提高器件源漏击穿电压。

 

MOS结构组成基本元素： P-阱N+源/漏栅氧+多晶栅

P-阱和N+源：通过自对准注入和双扩散技术形成的。
P-阱和N+源：注入后在多晶下方横向扩散，最后形成了MOS的沟道和源区。

 

 

RF 功率 LDMOS场效应管优势：

1.失真小线性度好：表现突出在数字信号传输应用中；

2. 热稳定性好：温度对LDMOS场效应电流有负反馈作用，温度升高可限制电流上升；

3. 工作频率更高稳定性好：LDMOSFET因反馈电容小，在几百MHz到几GHz的频率工作，且频率稳定性好。
4. 高增益：LDMOS场效应可达14dB。