场效应管和可控硅驱动电路在本质上存在差异；

场效应管：结型场效应管+绝缘栅型场效应管；

 

可控硅：单向可控硅+双向可控硅

可控硅即晶闸管：单向晶闸管+双向晶闸管

 

绝缘栅型场效应管：即MOS管

场效应管与三极管混合叫IGBT即门控管。

IGBT驱动电路与场效应管驱动电路类似，此驱动归于电压驱动。

 

实际运用：电力改换或功率输出

最佳选用脉宽调制PWM信号操控，其输入到栅极方波上升沿峻峭，即图腾柱输出。

 

要有必定的瞬态驱动，因场效应管栅极是等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不行时，其波形将被改动，通常等效为一个积分器，

 

导通时：栅极电压要有对于源极高10-20V摆布，典型值15V

关断时：确保场效应管关断牢靠，该电压此刻应当为-15V
运用中，为了减小场效应管的功耗过大或避免其损坏，要加如过流维护和有关吸收电路，并且尽量做参与场效应管的作业频率与负载的谐振频率一样，

 

运用：流过炉盘，电磁炉，加热线圈的电流与流过吸收电容的电流各自尽管都很大，但相位纷歧样，彼此抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管的电流较小。

场效应管典型驱动电路如下：

 

可控硅属电流驱动

它等效于两个三极管构成正反响拓展，当有一个触发信号后，因为正反响效果，使其导通，当栅极电压高于阳极电压或许阳极、阴极电压差小于必定数值时正反响才会失效，即可控硅被复位，

 

其栅极电压≤ 阳极，可控硅归于不行关断的半控器材
当触发导通时，无法经过栅极关断，而场效应管属全控器材能够经过栅极关断。
可控硅构造及其典型驱动电路如下：