场效应管对管驱动电路,驱动电路组成：电阻R2+小功率场效应对管Q1 Q2+缓冲器U 电阻R2：集电极开路同向缓冲器U 上拉电阻； 控制信号=低电平 同向缓冲器U 输出低电平，Q2 导通，Q3 截止，Q1栅极=高电平，Q1导通; 控制信号=高电平 同向缓冲器U 输出高电平，Q2 截止，Q3 导通，Q1栅极=低电平，Q1 截止； Q1：N 沟道绝缘栅场效应管； Q2：与+ 9 V电源相联P沟道场效应管； Q3：与地相联N 沟道场效应管；

绝缘栅VMOS大功率场效应管IRF250应用于纯甲类功率放大器优势 1.开关速度快 2.输出电流大 3.高频区线性好 4.耐压高 5.成本低场效应管IRF250是同极型N沟道 因：无耐压+功率+栅偏压值相近的异极型P沟道 即：用同极型准互补推挽输出 调试步骤 1.接电之前，检查电路焊点，连接线，整流电源正负电压否对称； 2.接电，测R14(R15)中点=0V，接入输出场效应管，微调R9输出中点=0V； PS：15分钟变化一次，请多调节几次，可调电阻功率 >1/2 W，若小会漂移不稳定； 3.W2小型多触点精密微调电位器，因悬空或有跳动，损坏输出场效应管；

因场效应管具有高输入阻抗和反馈几乎减少到0等特点； 此电路采用的2N54885，因为它的低电容，高Yfs，此放大器带宽由RL负载电容确定； Yfs是转移导纳 转移导纳Yfs = Ids/Vgs Ids=漏极电流 Vgs=栅极电压

场效应管前级放大器显示器优势 因场效应管特性：电压控制+输入阻抗高+噪声低 场效应管分类：结型场效应管+绝缘栅场效应管 它们分另可以组成场效应管放大器; 结型场效应管组成三种基本组态放大器等效电路和性能指标计算表达式，如下图所示： 场效应管有正向受控作用 可组成：共源极放大器+共漏极放大器+共栅极放大器,场效应管类型不同工作在放大区，要求栅极电压极性不同； 结型场效应管：栅源与漏源电压极性相反 增加型MOS管：栅源与漏源电压极性相同 耗尽型MOS管：栅偏压极性，可正偏，零偏或负偏。

增强型MOSFET作用：常闭压控电子阀门 无栅极偏置电压，无电流流动； 有栅极电压，P基板中形成诱发沟道，电流开始流动，增强型MOSFET与耗尽型JFET区别 增强型MOSFET：需能量才能提供电源，输入电压过小，无法提供足够偏置电压，增强型MOSFET无法工作； 结型场效应管简称JFET 耗尽型JFET：要用能量停止供电； 因JFET有自我实现特性，因此适合应用于电路初始启动期间能量不足时；

为了防止接反电源而器件损坏，在产品设计时，加入防反接电路；NMOS场效应管防反接电路 原理：NMOS场效应管加在负极端 若：接电正确，NMOS场效应管寄生二极管导通，源极电位=0.6V  栅极电压=电源电压 Vgs > 门极开启电压，导通，电流从源极→漏极，后端电路工作正常; 若：电源正负极反接，栅极电位=0，不导通，电路不工作，即保护电路；

MOS场效应管电路输入端保护二极管，导通，电流容限=１ｍＡ，可能 瞬态输入电流 > １０ｍＡ； 解决方案： 1.串接输入保护电阻； 2.或者换一个内部有保护电阻MOS场效应管； 若：在设计之初并没有加此保护电阻，即会被击穿； MOS场效应管输入电阻高，栅极与-源极间电容小，易受外界静电或电磁场的感应而带电，少量电荷在极间电容相当高电压U=Q/C； 解决方案： 1.在MOS场效应管输入端有抗静电措施，但存储或运输要用金属容器或导电材料包装; 2.调试+组装：工具+仪表+工作台+焊接，都要接地； 3.工作人员不可穿化纤或穿尼龙衣服+手+工具先接地;

什么是驱动电路 是主电路与控制电路间，对控制电路信号放大的中间电路 驱动电路分类：电压驱动+电流驱动 电压驱动 场效应管或是电子管，输入电流小，可忽略不计，输出状态跟输入电压高低有关，场效应管工艺制成逻辑器件，例如：CMOS电路； 电流驱动 双极性晶体管，输出状态跟电流大小有关，输入电流以微安或毫安级为单位，例如：双极性晶体管工艺制成，逻辑器件TTL电路 PS：TTL电路标注的是高低逻辑电平，高电平门电路拉至低电平，需0.3mA驱动能力

场效应管与变压器+三极管组成220V稳压电路 它的输出电压可调2.4V~24V，工作原理即稳压过程： 1.输出电压降低，f点电位降低，过T1431内部放大，e点电压增高，过K790调整，b点电位升高； 2.输出电压增高，f点电位升高，e点电位降低，过K790调整，b点电位降低，输出电压稳定； 3.输出电流 > 6A ，三极管9013截止，输出电流 ≤ 6A，则限流；

垂直沟道绝缘栅型场效应管，即VMOS管 垂直沟道绝缘栅型场效应管结构 金属栅极采用V型槽结构+垂直导电性 漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+区(源极S)出发，过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下达漏极D； 流通截面积大，即能通过大电流； 栅极与芯片间有二氧化硅绝缘层，即绝缘栅型MOS场效应管；