垂直沟道绝缘栅型场效应管，即VMOS管

 

垂直沟道绝缘栅型场效应管结构

金属栅极采用V型槽结构+垂直导电性

漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+区(源极S)出发，过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下达漏极D；

流通截面积大，即能通过大电流；

栅极与芯片间有二氧化硅绝缘层，即绝缘栅型MOS场效应管；

 

它的沟道长度是由外延层厚度控制，适合于MOS器件短沟道化，即提高高频性能和工作速度；

在栅氧化过程和退火处理过程中，因源漏杂质扩散作用，让短沟道化受限制，垂直p沟道MOSFET最短沟道长度为0．25μm，SiGeC引入能俘获门氧化过程和退火处理过程中产生硅自间隙原子，能抑制硼瞬态加强扩散和氧化加强扩散，源区和漏区引入SiGeC层，抑制B外扩散，可得更短沟道电子元器件；

 

沟道长度：两层p＋Si薄膜间厚度；

 

 

优势

1.输入阻抗高≥108W

2.驱动电流小，0.1μA

3.耐压高1200V

4.工作电流大1.5A～100A

5.输出功率高1～250W

6.跨导跨导

7.开关速度快

 

应用

开关电源+逆变器+电压放大器+功率放大器；