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  • 场效应管与晶体管比较-场效应管知识-竟业电子

       时间:2020/11/2       阅读:933    关键词:场效应管

     

    场效应管 

    全称Field Effect Transistor 简称FET

    分类:结型场效应管JFET + 金属 - 氧化物半导体场效应管MOSFET

    多数载流子参与导电,即单极型晶体管

    电压控制型半导体电子元器件

    功能

    放大+作阻抗变换+作可变电阻+作恒流源+电子开关

    优势

    1.输入电阻高1071015Ω

    2.噪声小

    3.功耗低

    4.动态范围大

    5.易于集成

    6.二次击穿现象

    7.安全工作区域宽

     

     

    晶体管

    全称transistor

    分类:二极管+三极管+场效应管+晶闸管

    固体半导体电子元器件

    功能:检波+整流+放大+开关+稳压+信号调制

    可变电流开关,可基于输入电压控制输出电流

    晶体管利用电信号控制自身的开合

    开关速度非常快

    实验室切换速度可达100GHz或以上

     

     

    场效应管晶体管其它情况比较

    1.场效应管多子导电晶体管两种载流子均参与导电

    2.场效应管栅极基本不取电流晶体管必取一定电流;

    3.场效应管的源极和漏极在结构上是对称

     

     

     

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