场效应管 具有拓宽效果，是电压操控型器材，与通常晶体管电流操控型器材相反， 它具有输：入阻抗高、噪声低。 场效应管三电极 栅极+源极+漏极 如下电路所示 场效应管组态电路：共源极+共漏极+共栅极拓宽器。 共源极拓宽器 如下图所示（a） 共漏极拓宽器 如下图所示（B）输入信号：从漏极与栅极间输入 输出信号：从源极与漏极之间输出 它或叫源极输出器或源极跟从器。

反激电源高压MOS场效应管电流尖峰对电源影响 1.电流尖峰di/dt非常大会很大的影响开关电源EMI。 2.电流尖峰di/dt它会在MOS场效应管开通时增加交越损耗，因此效率会降低。 3.因为电流尖峰，开关电源芯片增加前沿消隐以避免误触发，如果尖峰过高也会导致误触发。为什么会产生MOS场效应管电流尖峰 1.MOS场效应管开启，驱动电流G→S有电流，但因有驱动电阻，它的值并不大。 2.另通路经过MOS场效应管，看上去此路径连接电感，与尖峰电流相比，此电感电流=主电流从0↑，并有隐藏通路，变压器原边绕组有寄生电容，它里面存储电量瞬间由MOS场效应管放出，即产生很大的尖峰电流。

稳压电路中用场效应管提高稳压精度，如果在直流小信号调制电路中有直流信号放大，解决方案大闭环负反馈和将直流信号调制成交流信号再进行交流放大，如下图所示：a图场效应管稳压电路，R=限流电阻，用结场型场效应管替换。 b图零栅压工作，看场效应管输出特性曲线。 UDS下降，IDS变化少。 稳压管的工作电流保证不变，提高了稳压精度。 用场效应管，允许电源变动范围，比采用限流电阻稳压电路大。

MOS场效应管应用于超级电容器 可降低工作偏置电压+平衡电路的功耗+可根据温度、时间和环境变化而自动调节。 超级电容器电池电压平衡方法：主动式和被动式。 主动式： 使用运算放大器op-amp或MOS场效应管进行电流平衡。 被动式： 用低值电阻。 缺点：耗能+不能随温度变化而调节。 MOS场效应管平衡超级电容器

 a：在跨导级NMOS管M1 漏端接负载电阻R ，M1 管的电流In 在A 点分流。 电流流向： 1.流经开关管Is。 2.流经负载电阻Ir。 但是这种跨导电路的缺点是射频信号一部分通过负载电阻R 泄露到交流地。 要让射频信号损失减少，电阻R值必须增加，但减小节点A直流电压。 低电源电压下，M1 管是否工作在饱和区不可控。 解决方案：负载电阻R用有源负载代替，看b电路 。 PMOS管增大节点A与电源电压间的阻抗， 如：把M1 和M2的栅极连起来，形成CMOS反相器结构，那么M2 在增加阻抗的同时还能跟M1共同放大射频信号 ，如 c电路 ，避免射频信号通过M2 泄露到交流地。

反型与积累型MOS变容管 普通MOS变容管调谐特性单调。 获得单调的调谐特性方法如下： 确保晶体管在VG变化范围大的情况下不进入积累区，可通过将衬底与栅源结断开，与电路中的最高直流电压短接来完成。

CMOS线性调整器内部电路组成： 输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+基准电压源+预先调整输出电压用电阻+定电流限制或限流电路+过热停机功能 定电流限制或限流电路：即foldback电路，作用保护功能。 IC内部基准电压源：用CMOS工艺，它输出电压的温度特性与双极线性调整器相比稍有逊色； 高速型，低消耗电流型，低ESR电容对应，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。 低消耗电流型组成：2级阶放大器； 高速型组成：3级放大器，它满足低消耗电流和高速瞬态响应； 在初级放大器和用于输出的P沟道MOS晶体管之间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。 决定输出电压：R1和R2； 决定限定电流值：R3和R4。

MOS场效应管主要参数详细说明 最大漏极功耗 最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。 饱和漏极电流IDSS  JFET 在UGS =0，MOS场效应管发生预夹断时的漏极电流 IDSS型场效应管所能输出的最大电流 结型场效应管：RGS > 107Ω   MOS管：RGS>109～1015Ω 跨导Gm 漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm＝△ID/△UGS。 它是衡量MOS场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。 gm相当于三极管的hFE。 开启电压UT  MOSFET 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS（th）或UT表示。 开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。

脉冲功率放大器电路设计中 宽频带大功率脉冲放大器模块要求： 1.工作频段 > 4个倍频程，输出功率大，对谐波和杂波有较高的抑制能力; 2.因谐波是在工作频带内：放大器模块要具有很高的线性度。 射频功率放大器放大链采用三级场效应管，全部选用MOS场效应管。 每级放大均采用AB类功率放大模式，且均选用推挽式，以保证功率放大器模块可以宽带工作。 供电电源通常使用正电压比较方便，选用增强型MOS场效应管。 为了展宽频带和输出大功率，采用传输线宽带匹配技术和反馈电路。 射频功率放大器输出要求：为大功率脉冲式发射， 因此第一、二级使用的MOS场效应管应具备快速开关切换，以保证脉冲调制信号的下降沿和上升沿完好，减少杂波和谐波的干扰。 第一、二级功率放大选用MOS场效应管为IRF510和IRF530。

2606主控电路中的电源开机电路中常遇到P沟道MOS管。SI2305即P沟道MOS管，因有时经常检查此部份故障，无从下手，即要先知道它的工作原理。 上电路中电池的正电通过，开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，因Q1是一个P沟道MOS管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压，即不能工作也不能开机。