建模一个适合BSIM模型的MOS场效应管通道。

该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。

它具有很好的速度和收敛性

被应用于：仿真平台

如下图所示

典型的碳化硅MOS场效应管器件的横截面

 

如下电路所示

精简子电路模型

需要包含由EPI区域的多晶硅重叠形成的门极到漏极的临界电容CGD。

电容器：高度非线性金属氧化物半导体（MOS）电容器。

 

电容的耗尽区域依赖于复杂的工艺参数

包括：掺杂分布，p阱dpw间的距离，外延层的厚度。

 

基于物理的模型考虑到所有这些影响

采用SPICE不可知论的行为方法实现。

 

灰色：有源区

蓝色：无源区与裸芯边缘，门极焊盘（gate pad）和门极流道gate runners相关联。

基于物理几何的导子决定：无源区和有源区之间的分布，这是实现可扩展性所必需的。

有源和无源区边界区域形成的寄生电容。

理念是使寄生电容=0。

 

碳化硅MOSFET支持非常快的dV/dts，约每纳秒50 V至100 V，而dI/dts则支持每纳秒3 A至6 A。

元器件门极电阻非常重要，可用来抗电磁干扰（EMI）。

 

上图中右边：有较少的门极流道，因此RG较高，很好地限制振铃。

上图左边：有许多门极流道，因此RG较低。

左边的设计适用于快速开关，但每个区域有更高的RDSon，因为门极流道吞噬了有源区。