V（BR）DSS 的正温度系数特性

异于双极型器件的特性，让其在正常工作温度升高后变得更可靠。

但也要看其在低温冷启机时的可靠性。

 

V（GS）th 的负温度系数特性

栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小，一些辐射也会使得此门槛电位减小，甚至可能低于0电位。

 

这一特性需注意MOS场效应管在此些情况下的干扰误触发，尤其是低门槛电位的MOSFET应用。因这一特性，有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值（指 N 型，P 型类推）以避免干扰误触发。
 

 

VDSon/RDSon 的正温度系数特性

VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性，让MOS场效应管的直接并联使用变得可能，双极型器件在此方面恰好相反，故其并联使用变得相当复杂化。

 

RDSon也会随着ID的增大而略有增大，这一特性以及结和面RDSon正温度特性使得MOSFET避免了象双极型器件那样的二次击穿。

 

但要注意此特性效果相当有限，在并联使用、推挽使用或其它应用时不可完全依赖此特性的自我调节，仍需要一些根本措施。这一特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大，故在损耗计算时应特别留意参数的选择。

 

ID的负温度系数特性

MOSFET参数理解及其主要特性ID会随着结温度升高而有相当大的减额。这一特性使得在设计时往往需要考虑的是其在高温时的ID参数。

 

雪崩能力IER/EAS的负温度系数特性

结温度升高后，虽然会使得MOS场效应管具有更大的 V（BR）DSS ，但是要注意EAS会有相当大的减额。也就是说高温条件下其承受雪崩的能力相对于常温而言要弱很多。

 

MOS场效应管的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好

在设计中并不期望利用其作为回路主要的电流载体。往往会串接阻拦二极管使体内寄生二极管无效，并通过额外并联二极管构成回路电载体。但在同步整流等短时间导通或一些小电流要求的情况下是可以考虑将其作为载体的。

 

漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 spurious-trigger

故在很大的 dVDS/dt 应用场合（高频快速开关电路）需要考虑这方面的可能性。