两个MOS场效应管串联替换继电器，作为交流电路中的一个触点。

如下图所示

2个IRF530可在100V的峰值电压下的电路中作负载切换。

 

IC1=一个不稳定振荡器

是建立在著名的555定时器上的，提供一个方波电压源驱动MOS场效应管对的栅极。

R1 R2=定时电容器C1提供充放电路径

555输出级：

1.提供和吸收几十毫安电流，提供驱动10级+开关栅极的电流，每个最大消耗电流为5 mA；

2.在最大0.75V的接通状态电压，最大可吸收50 mA电流。

3.驱动一个分布式总线，为一组脉冲变压器T1和T2提供能量。

电容器C3与变压器初级串联，绕组上的直流偏移电压可消除。

 

什么变压器不重要

能够为MOS场效应管提供栅极电压，并保持安全的电压隔离水平的铁氧体磁芯脉冲变压器，即可。

一个控制信号加在通用NPN开关晶体管Q3的基极，使集电极电流流经其相应变压器的初级。二极管D2提供一个通过绕组的反向电流路径。

在次级端，二极管D1对次级电压作整流，并对电容器C4充电，电容器将整流电压进行滤波，提高噪声抑制能力，降低MOSFET栅极上的电压波动。

 

去掉控制信号即关断Q1和Q2。

R3为C4提供一个放电通道，使MOS场效应管在大约3 ms 内关断。

C4，R3的值降低即可快速关断，但整流后栅极电压波动会增加。

2个串联MOS场效应管，实现通过管对的双向交流导通。

当MOSFET关断，寄生二极管反向串联，即不导通。

 

可从多种MOS场效应管中选择符合应用需求的MOSFET，确保加在Q1和Q2上的栅极电压足以使两个器件切换进完全导通状态。

IRF530的栅极阈值电压为3V，加上10V的栅/源电压可确保有低的导通电阻。

可通过改变变压器的匝数比或IC1电源电压的方法调整栅/源电压。