mos场效应管dV/dt失效

因mos场效应管关断，瞬态充电电流，流经寄生电容Cds→基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极→发射极间产生电位差VBE，让寄生双极晶体管导通，产生短路，导致失效的现象。

如下图所示

蓝色：MOS场效应管的dV/dt失效电流路径示意图

dV/dt越大即越陡，VBE电位差就越大，寄生双极晶体管易导通，失效发生越容易。

逆变器电路，Totem-PolePFC上下桥结构电路中，反向恢复电流Irr会流过MOS场效应管。

 

注意：dV/dt受此反向恢复电流影响，会让寄生双极晶体管误导通。

通过双脉冲测试它们之间关系图如下：

 

dV/dt和反向恢复电流仿真结果

若mos场效应管①与③相同：栅极电阻RG，电源电压VDD，电路条件。

不同：反向恢复特性。

Q1从续流工作转换到反向恢复工作，漏源电压VDS和漏极电流ID（即内部二极管电流）。

如下图所示

 

mos场效应管③：反向恢复特性较差（Irr和trr大）产品。

反向恢复特性越差，dV/dt的坡度就越陡峭。

流经电容器的瞬态电流通

I=C×dV/dt

Irr的斜率（di/dt）相同条件下，当di/dt陡峭，dV/dt也变陡峭。