因变压器的漏电感和反激式转换器的 MOS场效应管的寄生电容

如下图所示

反激式转换器的等效电路模型

 

MOS场效应管开路或关断，因电感磁通量要连续性，不可转移到副边的储存在漏电感中的磁通量，会立即切断漏电感电流，即高压尖峰跨过MOS场效应管的漏与源极。

 

MOS场效应管寄生电容，及变压器漏电感，引起谐振触发高频振荡，

如下图所示

a 反激式转换器工作在连续导通模式下

b在不连续传导模式 DCM下

 

两者引起的高频振荡叠加在 MOS场效应管漏源电压 上

叠加电压尖峰V DS_Peak ：

i DS_Peak：从变压器初级侧通过 MOSFET 的峰值电流

L LK=变压器原边等效漏感

C OSS= MOSFET 寄生输出电容

V in=变压器两端的输入电压

n =变压器的匝数比

V O=输出电压

V F=功率二极管的正向电压。

C P=变压器原边等效寄生电容

 

因：器件的寄生电感，电容引起的电压尖峰，高频振荡等对MOS场效应管产生应力或损坏。

高频振荡可能对电源系统产生EMI噪声，导致电路的可靠性问题。

解决方案：

可增加 Snubber 抑制高频振荡。