SiC MOS场效应管寄生导通产生机理

开通：门限值选择门极15V或18V，配置好载流能力或好的短路耐用性。

关断：保险的方法是负电压关断，有效的保证可靠关断，减少误触发的机率。

 

门极电容反馈可能导致半导体器件产生误导通动作。

用SiC器件，要考虑米勒电容产生的电容反馈。

米勒效应引起电容反馈，可能会导致管子的误动作，可能导致上下管直通，引起短路现象，至器件损坏，产生机理，如下图所示：

 

半桥电路拓扑应用

 

低边：开关Q2导通，高边发：开关Q1的电压变化dVDS/dt。

形成对上管的寄生电容Cgd的充电电流iT。

 

此电流通过米勒电梯Cgd，门极电阻，电容Cgs形成回路，对Cgd进行充电

电容Cgd和Cgs形成一个对VDS进行分压的电容分压器。

 

门极电阻上电压降 >上管Q1的阈值开启电压，产生米勒导通或者米勒效应。

过程中，漏极电位上升，并通过米勒电容Cgd上拉Q2的门极电压。

门极关断电阻试图抵消且拉低电压。

 

但，如电阻值降不了电压，电压可能会超过管子的阈值电压，致误触发，发生故障，损坏SiC器件。

特定操作条件和测试硬件，决定可能误触发致事件发生的风险和严重程度。

关键因素：高母线电压，电压快速上升，高结温。

他们会严重地上拉门极电压，会降低阈值。

硬件相关：MOS场效应管内部寄生电容Cgd，Cgs，门极关断电阻。

 

Cgd和Cgs电容引起寄生电压，致门极误开通，增加开关损耗，损坏器件。

如下图所示：

 

△Vgs=△Vds*Cgd/(Cgs+Cgd)

若△Vgs> Vgs(th)

则MOS管有误触发的风险。