SiC-MOS场效应管T属于第三代功率半导体器件。具有高功率密度、耐压高、耐高温及抗辐射电迁移等优点，特别适合恶劣环境。

然而其缺点也很明显。由于其禁带宽度比硅基的宽，其正向跨导Gfs就小，导致为减小静态损耗，加在栅极上的电压VGS就得大。另外，它的Crss比较大，miller效应就比较大，致使开启或关闭需要的电荷量Q就大。因此在使用时必须采用miller钳位，或者负压关断来解决。

 

SiC-MOS场效应管 仍属于压控型器件，所需要的静态驱动电流很小,由于寄生电容的存在，开通过程就是寄生电容充电过程，相反，关断过程就是寄生电容的放电过程，在感性负载下的开关过程如图11所示，以开通过程为例，该过程可以分为：延时阶段、电流上升阶段、米勒阶段和过驱动四个阶段。关断过程与开通过程基本相同，只是时间顺序相反。

 

通过对SiC-MOS场效应管器件特性和开关过程的分析可知，工作在高频的SiC-MOS场效应管驱动电路必须具备以下特点:

1.驱动电压波形的上升沿和下降沿要足够陡，从而增大开关速度，减小开关损耗；

2.驱动电路要提供足够大的瞬时电流，缩短输入电容充电时间；

3.驱动回路阻抗要适宜，回路阻抗太小容易造成驱动回路谐振，可能造成误导通或通态电阻较大，回路阻抗太大会减缓输入电容充电时间，延长开关速度，增加开关损耗；

4.栅极驱动电压要合理，栅极驱动电压越高，感应导电沟道越大，则通态电阻越小，从而减小通态损耗；但栅极驱动电压太大时，较小的谐振引发的电压波动可能击穿栅极氧化层，造成器件永久失效；

5.驱动电路还要能够提供负压关断，防止器件误导通，同时也加速了关断过程；

6.驱动电路要紧靠被驱动器件，减小寄生参数对驱动电路性能的影响。