基本上有内部会集成自举电路，可提供高于电源电压的驱动电压，实现迅速开关MOS管，

如DGD0506，IC供电电源电压是15V，可提供高达50V的驱动电压输出。

 

VB和VS引脚间的电容，即自举电容，是完成升压的核心器件。

如下图电路，驱动IC的Vs引脚直接接到MOS的S极，即解决没有GND作为S极电压参考的问题。

 

如用分立器件搭建半桥驱动电路来驱动电机时，一旦软件出现BUG，两个MOS管同时导通，等于VCC和GND直接连上，两个MOS管上会出现很大的短路电流，可能会烧毁MOS管，集成MOS管内部有死去时间控制，能够从硬件上避免两个MOS同时导通的情况出现，

开启一个MOS管时，有硬件延时，这段硬件延时时间，能充分保证另一个MOS已经关闭，可通过调整DT引脚上连接的电阻来调整死区保护时间。