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时间:2022/7/19 阅读:848 关键词:MOS场效应管
有的电路用MCU直驱,有的专用驱动IC驱动?
因素:MOS场效应管开关速度,工作电流电压,热阻,导通电阻等。
特别是GS极寄生电容。
条件:Vgs电压 > th开启电压
Source极接地,但要注意Gate电压
如:H桥驱动电机
MOS管S极可能不直接接地,因此要用专用驱动IC驱动
如:分立器件搭建半桥驱动电路驱动电机
有BUG,2个MOS场效应管同时导通,即VCC与GND直连,MOS场效应管损坏。
开启一个MOS,硬件延时,此时间保证另一个MOS已关闭。
解决方案:通过调整DT引脚上连接电阻,调整死区保护时间。
优势
1. 外围分立元件减少。
2. 应用场景+驱动电压得到扩展。
缺点:成本高。
注意
根据驱动电路需求,MOS场效应管开关电路对于时间上没有要求,除驱动H桥以外,如果只应用于简单负载开关,考虑电流,MOS管温升,用MCU直驱。