MOS管更换原则 1.原型号 2.不要追求功率比原先大 原因：功率大，输入电容大，或与激励电路不匹配； 激励灌流电路充电限流电阻值与MOS管输入电容有关，即使MOS管开与关性能变坏， 因此，输入电容参数要一致； 3.更换损坏的MOS管同时，周边灌流电路电子元器件也要更换； 原因： A：与MOS管损坏元原有关，可能引起损坏原因是灌流电路电子元器件不好； B：MOS管损坏，击穿瞬间，灌流电路电子元器件也有可能损伤；

高速650V，硬开关IGBT TRENCHSTOP™ 在TO-247封装中，5与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。 英飞凌MOS管场效应管IKW50N65EH5功能概述 1.650 V突破电压 2.与同类最佳的高速3系列相比 3.系数2.5低Qg 4.因数2开关损耗降低 5.VCEsat降低200mV 6.与快速硅二极管技术共同封装 7.低COES/EOS 8.温和的正温度系数VCEsat 9.Vf的温度稳定性 优势 1.最佳连接，从而降低效率 2.外壳温度导致更高的设备可靠性 3.在不影响母线电压的情况下，母线电压可增加50 V 4.可靠性 5.更高功率密度设计

MOS管构成缓冲器Buffer和漏极开路门OD门 MOS管场效应管通过搭配可构成各种门电路反相器电路：如下图所示：输入和输出状态相反，称之反相器。 输入Vi=低电平：上管导通，下管截止，输出=高电平； 输入Vi=高电时：上管截止，下管导通，输出为低电平。A,B输入=低电平：1,2管导通，3,4管截止，C端电压与Vdd一致，输出高电平； A输入高电平，B输入低电平：1,3管导通，2,4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致，输出高电平。 A输入低电平，B输入高电平：2,4导通，1,3管截止，C端电位与2管的漏极保持一致，输出高电平。 当A，B输入=高电平：1,2管截止，3,4管导通，C端电压与地一致，输出低电平。

CMOS管内部电路组成 输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+预先调整输出电压用电阻+基准电压源 保护功能电路组成： 定电流限制+限流电路或foldback电路+过热停机与低ESR电容对应，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。 低消耗电流型：2级阶放大器组成 高速型：使用同时满足低消耗电流和高速瞬态响应3级放大器； 在初级放大器和用于输出P沟道MOS晶体管间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。

开关电源损耗：开关损耗+路径损耗 开关损耗：开与关过程中MOS管损耗 路径损耗：大电流路径内阻损耗 如BUCK：上臂MOS管内阻损耗+下臂MOS管及续流二极管损耗+电感寄生阻抗损耗 电源耗散计算方法： 方法：黑盒+白盒 黑盒计算电源耗散功率 电源效率=电源芯片+外围元器件热耗/电源输入总功率

MOS管也叫mosfet，金属氧化物半导体型场效应管，场效应晶体管中的绝缘栅型。 MOS管应用于：放大电路+开关电路+判别电位（表示：“Q”+数字应用于主板） MOS管场效应管放大器：输入阻抗高，耦合电容容量小，不用电解电容器。 输入阻抗适合作阻抗变换：应用于多级放大器输入级作阻抗变换。 MOS管场效应管可用作恒流源和电子开关，在集成电路中应用。

VMOS管为什么要串联 VMOS管串联为了解决电压规格不够，即用多管电路拓扑也难以满足，如：三相全桥，全桥等； 在实际电路应用时，VMOS管串联劣势： 1.会降低功率开关外关速度； 2.工作频率降低； 3.低至与IGBT相当； 4.同高电压规格VMOS管饱和压降升高 ，高于1000V与IGBT相当 VMOS串联要求： 1.驱动隔离+信号通道隔离+电源隔离； 2.均压，误差比拟大，增加串联功率开关数量及增大电压耐受量裕量； 理论：两个1000V  VMOS串联 =2000V电压规格VMOS 为了保险系数保证正常工作，需要串联3个VMOS管 此时串联功率开关本身功耗增加；

MOS管分类：增强型+耗尽型 什么是增强型 VGS=0  MOS管截止状态，加正VGS，多数载流子被吸引到栅极，增强此区载流子所形成导电沟道； N沟道增强型MOS管是左右对称拓扑结构，在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层， 用光刻工艺扩散两个高掺杂N型区，N型区引出电极：漏极D+源极S， 源极与漏极间绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G； VGS＝0  漏极与源极间与两个背靠背二极管相当，漏极与源极间加电压不会在此间形成电流； 栅极加电压，0＜VGS＜VGS(th)，栅极与衬底间形成电容电场作用，将靠近栅极下方P型半导体多子空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子耗尽层；

MOS管D极-S极加电压VDD 驱动开通脉冲：加在MOS管S极-G极，输入电容Ciss充电 G极-S极电压Vgs线性上升达门槛电压VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)前漏极电流Id≈0A; 漏极电流流过，Vds电压VDD不变； Vgs=VGS(th) 漏极流过电流Id Vgs上升，Id上升，Vds保持VDD Vgs=达米勒平台电压VGS(pl) Id上升=负载电流最大值ID Vds开始从VDD下降 米勒平台，Id电流维持ID，Vds电压不断降低，低到一定值米勒平台结束，Id电流维持， Vds降低，降低斜率小，幅度小，稳定在Vds=Id×Rds(on)，米勒平台结束MOS管导通； MOS管漏极导通特性 MOS管应用放大电路：用栅极电压、漏极电流和跨导曲线研究其放大特性；

4.MOS管有寄生二极管，便在集成电路中没有，所以MOS管在电路中不能单一的年作一个开关作用，如：电路中，充电完成，拔除电源，电池会反向向外部供电；解决方法： a.增加一个二极管防止反向供电； 缺点：二极管特性要有0.6-1V正向压降，大电流下会发热严重+能源浪费，导致整机能效低； b.再增加背靠背MOS管，利用MOS管低导通电阻 达到节能（应用：低压同步整流）；5.MOS管导通无方向性，加压导通后，像一析导线，只有电阻特性，无导通压降，饱和导通电阻几Ω到几十Ω，直流电和交流电可通过； 6.在电路设计中，要参考MOS管的使用手册上的参数，不要超过极限值； 7.MOS管偏置极性，接入电路时要按要求接入； 注意：结型MOS管N沟道管栅极不得加正偏压+P沟道管栅极不得加负偏压；