栅极故障预防 场效应管MOS管漏栅电容可能出现寄生开通，即自开通，关断后，源极—漏极间形成陡峭dv/dt。 生成的电流从漏栅电容→栅极，会让栅极电阻器产生电压降提高栅极电压。   可能发生自开通： 1.dv/dt斜率陡峭非常，栅源与栅漏两者的电容比率为场效应管MOS管栅极施加电压。  2.二极管反向恢复期间对处于关断状态MOS管施加快速变化电压 自开通预防 1.栅极—源极间增加电容器； 2.关断栅极电压驱动至负值 < Vth; 3.开关电子元器件用米勒箝位电路，场效应管MOS管栅极—源极间通路短路（短路方法：栅极—源极间加MOS管）

MOS管的特性 MOS管分两种：NMOS管  + PMOS管 NMOS管特性 Vgs > 一定值时导通，用于源极接地，栅极电压达到一定电压，如：4V，10V 应用：低端驱动 PMOS管特性 Vgs < 一定值时导通，用于源极接VCC； 应用：高端驱动 缺点：因导通电阻大，成本高，替换种类少。 PS：在高端驱动中，NMOS管被使用到的比例比PMOS管高。 MOS管最常应用于：设计开关电源 ， 马达驱动电路； 使用MOS管时主要考虑的因素：导通电阻，最大电压等，最大电流。 MOS管开关损耗 导通后即有导通电阻，DS间电流经过，两端有电压，电阻会消耗能量，即导通损耗；  一般我们通过选择导通电阻小的MOS管。

650V，N-Ch，最大110 mΩ，汽车用MOSFET，D2PAK，CoolMOS™ CFDA 650VCoolMOS™  CFDA超结（SJ）MOSFET是英飞凌第二代市场领先的汽车用合格高压CoolMOS™ 功率mosfet。除了汽车工业所要求的高质量和高可靠性的众所周知的特性外，650V CoolMOS™ CFDA系列还提供集成的快速体二极管。 英飞凌MOS管场效应管IPB65R110CFDA特征概要 1.市场上首个650V汽车用集成快速体二极管技术 2.硬换相期间的有限电压超调——自限di/dt和dv/dt 3.低栅极电荷值Q g 4.重复换向体二极管的低Q rr和低Q oss 5.减少开启和开启延迟时间 6.符合AEC Q101标准

减少损耗方法： VGS增大，减小电子元器件应用时电流水平下电阻，即降低稳态损耗； VGS值高，使高频开关下驱动损耗与总损耗比率增大，因此选择合适的MOS管及栅极驱动电压很重要，常用导通电压Vth：4V，10V 栅极电阻器如何选择 MOS管场效应管栅极端子上连接电阻器 此栅极电阻器作用：抑制尖峰电流 + 减少输出振铃 栅极电阻器大：降低开关速度，即会使功率损耗增大+性能降低+发热； 栅极电阻器小：提高开关速度，即会引发电压尖峰和振荡 + 电子元器件损坏或故障； 解决方案： 1.选择最佳栅极电阻器； 2.调节栅极电阻器值，改善开关速度； 3.用不同栅极电阻器开通或关断MOS管场效应管；

OptiMOS™60V是开关电源（SMP）中同步整流的完美选择，如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关DC-DC变换器。 英飞凌MOS管场效应管BSC067N06LS3 G特征概要 1.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 2.非常低的导通电阻Rds（开） 3.非常适合快速切换应用 4.符合RoHS-无卤素 5.MSL1级 英飞凌MOS管场效应管BSC067N06LS3 G优势 1.最高的系统效率 2.需要较少的并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.超低电压

什么是CMOS管场效应管 英文全称Complementary Metal Oxide Semiconductor CMOS是一种技术（制造大规模集成电路芯片的技术） 用CMOS技术制造出芯片，即电脑主板上可读写RAM芯片，它用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后数据。 过压引起：过大电流+金属化 运算放大器输出S端或D端电压源，电流 ≤ 运算放大器直流输出电流限值，但瞬态感应电流可能损坏CMOS电子元器件，过压保护是必须的。 方案1：在电源供电引脚串联二极管，以防止寄生晶体管导通； 注意事项：9S端或D端）电压 > 电源电压，CR1 +/或CR2反向偏置，基极驱动电路不能使晶体管导通；每一个CMOS管电子元器件有对应二极管保护，有效但也有失效时； 方案2：在开关一端连接到一个负电位（充电电容）+另一端电压超过VDD；

英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发（开）减少高达44% ​​​​​​​ 英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联 4.功率密度增加 5.低压超调 英飞凌MOS管场效应管BSC030N08NS5应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

OptiMOS™低压功率mosfet-完美满足充电器和适配器设计的需要 OptiMOS™PD功率MOSFET是英飞凌针对USB-PD和适配器应用的产品组合。这些产品提供快速增长和优化的交货期。OptiMOS™用于电力输送的低压mosfet能够以较少的零件进行设计，从而降低BOM成本。OptiMOS™ PD采用高质量的产品和一流的性能，在紧凑、轻巧的包装中进行差异化设计。 英飞凌MOS管场效应管BSC0702LS 功能特征概要 1.逻辑级可用性 2.低导通状态电阻RDS（开） 3.低栅极、输出和反向恢复充电 4.优异的热性能

650V CoolMOS™ CFD2 更换 为600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的mosfet。CFD2装置是600V CFD的后继产品，提高了能效。较软的换相行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部分。 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD功能特征概要 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低 4.较紧的RDS（开）max到RDS（开）typ窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比，价格更低 英飞凌MOS管场效应管IPB65R190CFD优势 1.由于重复换向体二极管的低Qrr而导致的低开关损耗 2.自限di/dt和dv/dt 3.低生活质量 4.减少开启和开启延迟时间

场效应管MOS管放大器原理 MOS管有三端：输入端+输出端+第三端，可把第三端固定为一定的电位，即形成三种放大电路。 三种放大电路：源极接地+栅极接地+漏极接地 原理：源极+栅极+漏极，其中一个极接到固定电位上即可形成；