VMOS管英文V-groove metal-oxide semiconductor；

中文名：功率场效应管，或V型槽MOS场效应管；

 

VMOS管为什么要串联

VMOS管串联为了解决电压规格不够，即用多管电路拓扑也难以满足，如：三相全桥，全桥等；

在实际电路应用时，VMOS管串联劣势：

1.会降低功率开关外关速度；

2.工作频率降低；

3.低至与IGBT相当；

4.同高电压规格VMOS管饱和压降升高 ，高于1000V与IGBT相当

 

VMOS串联在工程应用上并不多，要用高电压规格，一般用IGBT；

VMOS管最高电压=1000V

IGBT单管=2500～3300V

IGBT模块=4500一6500V

 

VMOS串联要求：

1.驱动隔离+信号通道隔离+电源隔离；

2.均压，误差比拟大，增加串联功率开关数量及增大电压耐受量裕量；

理论：两个1000V  VMOS串联 =2000V电压规格VMOS

为了保险系数保证正常工作，需要串联3个VMOS管

此时串联功率开关本身功耗增加；

 

动态均压：功率开关高速开关条件下均压;

静态均压：功率开关出于稳定关断状态均压；

一般用电阻完成;