MOS管控制电源缓启动，应用：电信工业，微波电路；

因：MOS管导通阻抗Rds_on低+驱动简单

 

 

 

MOS管D极-S极加电压VDD

驱动开通脉冲：加在MOS管S极-G极，输入电容Ciss充电

G极-S极电压Vgs线性上升达门槛电压VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)前漏极电流Id≈0A;

漏极电流流过，Vds电压VDD不变；

 

Vgs=VGS(th)

漏极流过电流Id

Vgs上升，Id上升，Vds保持VDD

Vgs=达米勒平台电压VGS(pl)

Id上升=负载电流最大值ID

Vds开始从VDD下降

 

 

米勒平台，Id电流维持ID，Vds电压不断降低，低到一定值米勒平台结束，Id电流维持，

Vds降低，降低斜率小，幅度小，稳定在Vds=Id×Rds(on)，米勒平台结束MOS管导通；

 

MOS管漏极导通特性

MOS管应用放大电路：用栅极电压、漏极电流和跨导曲线研究其放大特性；

 

 

 

MOS管关断区+恒流区+可变电阻区

恒流区：有时被称饱和区或放大区

驱动开通脉冲：加在MOS管G极和S极，Vgs升高，MOS管开通轨迹如下图A-B-C-D

 

如：AOT460

VDD=48V  Vgs上升  Id=0  

当Vgs=VGS(th)   Id电流从0上升

 

MOS管恒流区：A-B Vgs电压VGS(th)增加至VGS(pl)过程

Vgs电压与Id电流自找平衡过程

跨导 Gfs=Id/Vgs

 

Id电流=负载大允许电流ID

栅级电压Vgs(pl)=Id/gFS

Id电流恒定  Vgs电压恒定

MOS管在恒流区  放大器状态

 

可变电阻区：C-D  Vgs电压对应一定Vds电压Vgs电压达最大值

Vds电压最小值  Id电流为ID恒定  

Vds电压=ID*MOS管导通电阻乘积

 

 

 

Mos管电容栅漏电容Cgd，栅源电容Cgs，漏源电容Cds公式

Cgd=Crss    Cgs=Ciss-Crss    Cds=Coss-Crss

 

最大输入电压Vmax   Cload=C3+DC/DC电源模块内部电容

冲击电流的幅度Iinrush

R3阻尼电阻

R3<

 

D1稳压二极管

作用：限制MOS管 Q1栅源电压；

证MOS管Q1刚上电保持关断状态：R1，C1，D2；

 

接电，MOS管栅极电压上升

栅源电压Vgs=一定值

二极管D2导通  所有电荷给电容C1以时间常数R1×C1充电

栅极源极电压Vgs相同速度上升，直到MOS管Q1导通产生冲击电流；

 

 

Vth=Q1最小门槛电压   VD2=二极管D2正向导通压降

Vplt=Iinrush冲击电流时栅源电压

 

MOS管选择　　

有源冲击电流限制电路MOS管

漏极击穿电压 Vds  >　最大输入电压Vmax

漏极击穿电压 Vds  >  最大输入瞬态电压

通讯系统MOS管

Vds≥100V栅源电压Vgs

稳压管D1作用：

防止MOS管Q1栅极被过压击穿;

Q1栅源电压Vgs >稳压管D1最大反向击穿电压

如：Vgs=20V  则稳压二极管电压=12V

MOS管能耗散导通电阻Rds_on

热耗计算公式：

Pon=Rds_on*I²DC

Idc=DC/DC电源最大输入电流，Idc确定公式：

Pout=DC/DC电源最大输出功率  Vmin=最小输入电压

η=DC/DC电源在输入电压 为Vmin输出功率为Pout时的效率

当Rds_on很小，所引起压降和输入电压相比可忽略不计

 

 

 

 

关注竟业电子微信公众号，查看更多文章