主流企业仅10家左右，包括特来电、盛弘股份、科华恒盛等为代表的自产自用型，英飞源、优优绿能、星源博睿、英可瑞等为代表的外供型两类。 新能源汽车800V平台的出现，主流充电模块也从之前主流的15、20kW向30、40kW发展，输出电压范围300Vdc-1000Vdc，并且具备双向充电功能，以达到V2G/V2H等技术要求。 因此，越来越多充电模块企业开始采用SiC MOS管解决方案。

MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图 如下电路图为电流与电压在开关时交叠的过程 此图中描述的是其实是最恶劣的情况 最恶劣的情况分析：开通时等mos管电流上升到I1之后mos管电压才开始下降，关断时等mos管电压上升到Vds后mos管电流才开始下降。

一般选择场效应管的反向恢复时间要比二极管D1慢2~3倍，以避免形成直通电流，此电流会产生很强的磁场，会增大输出噪声，所以可通过栅极电阻R4来减慢开关管的导通速度。为了不影响关断速度可以在栅极电阻并联一个二极管D2如下图所示 可以在场效应管DS两端并联一个RC电路也可以有效的降低噪声，电容C2一般在100PF~300PF左右，电容值过大会导致场效应管的开关损耗加大，电阻R2一般选取小于10Ω电阻。 二极管在高速导通和关断时，反向恢复期间，二极管的寄生电感和电容会产生高频振荡， 为了抑制高频振荡可在二极管两端加RC缓冲电路

热回路PCB模型： (a) 5mm * 6mm MOSFET，直线布置 (b) 5mm* 6mm MOSFET，以90°形状布置； (c) 5mm* 6mm MOSFET，以180°形状布置； (d) 两个并联的3.3mm * 3.3mm MOSFET，以90°形状布置； (e) 两个并联的3.3mm * 3.3mm MOSFET，以90°形状布置，带有接地层； (f) 对称的3.3mm * 3.3mm MOSFET，位于顶层和底层，以90°形状布置。 下表对于不同器件形状和位置，使用FastHenry提取的热回路PCB ESR和ESL，(a)至(c)展示：三种常见功率FET布置，其中采用5mm × 6mm MOSFET。热回路的物理长度决定了寄生阻抗。 与(a)相比，情况(b)中的90°形状布置和情况(c)中的180°形状布置的回路路径更短，导致ESR降低60%，ESL降低80%。由于90°形状布置显示出了优势，可基于情况(b)研究更多情况，以进一步降低回路ESR和ESL。

在这种电路布置中，增强模式N沟道MOSFET用于切换简单的灯“ON”和“OFF”也可以是LED， 栅极输入电压VGS被取为适当的正电压电平，以使器件和灯负载“开启”（VGS=+ve）或处于使器件“关闭”（VGS=0V）的零电压电平。 如果灯的电阻负载被电感负载（如线圈、螺线管或继电器）取代，则需要与负载并联的“飞轮二极管”，以保护MOSFET免受任何自行产生的反电动势的影响。 上面显示了一个用于切换电阻负载（如灯或LED）的非常简单的电路。但是，当使用功率MOSFET来切换电感或电容负载时，需要某种形式的保护来防止MOSFET器件损坏。驱动电感性负载具有与驱动电容性负载相反的效果

此外，MOSFET与BJT的不同之处在于，栅极和沟道之间没有直接连接，不像BJT的基极-发射极结，因为金属栅电极与导电沟道电绝缘，因此其次要名称为绝缘栅场效应晶体管（insulated gate Field Effect Transistor，简称IGFET）。 我们可以看到，对于n沟道MOSFET（NMOS），衬底上方的半导体材料是p型，而源极和漏极是n型。电源电压将为正。将栅极端子偏置为正将栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子吸引向它。

MOS场效应管开关电路缺点 因MOS场效应管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！ 电流路径如下： 后端电流路径 解决方案 1.在后端串联二极管 防止后端电压电流串扰的电路 优势：电路简单+成本低 劣势：二极管动态负载电阻大，特别不适合后盾负载变化大的 2.后端串联一个同规格的MOS场效应管 防止后端电压电流串扰的电路 优势：MOS场效应管开通电阻极小，对于

然而，为了确保通过场效应管器件的良好电流调节，从而确保更稳定的电流流动，最好将流过LED的最大沟道电流（在本例中为15mA）限制在JFET IDSS值的10%和50%之间。 使用MOSFET创建恒流源可以获得更大的沟道电流和更好的电流调节，并且与仅作为常开断开模式器件可用的结型场效应管不同。

电源模块输出端通常推荐增加一定的滤波电容，但在使用过程中，由于认识不足等原因，使用了过大的输出滤波电容，既增加了成本又降低了系统的稳定性。 容性负载过大如下图路a 一个电容3W的模块 输出使用2000uF 查阅产品手册，模块最大输出电容为800uF 输出电容过大可能导致启动不良