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  • 数字电源驱动器和 MOS场效应管选择-竟业电子 数字电源驱动器和 MOS场效应管选择-竟业电子
    ​数字电源驱动器和 MOS场效应管选择 在大多数多相转换器中,每个相位都设计为将峰值电流限制在 40A 左右。行业内的创新导致解决方案能够处理显着更高的峰值电流 MP86957等器件可提供高达 70A 的连续电流

    时间:2023/12/20键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管配置为双向时的应用-竟业电子 MOS场效应管配置为双向时的应用-竟业电子
    MOS场效应管应用于开关和同步整流器 它可以配置为双向 如下图所示 桥式布局中MOS场效应管 用作双向功率转换器 双向电池充电器/逆变器的示意图 左右对称性明显 能量流方向由 MOS场效应管 驱动装置控制 功率因数校正级是一个典型“无桥图腾柱”类型 它在中等功率或更高交错功率水平下最佳

    时间:2023/12/11键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管电路应用于电源反向电压保护-竟业电子 MOS场效应管电路应用于电源反向电压保护-竟业电子
    此2种电路,MOS场效应管 是池电压为正时导通,电池电压反转时则断开连接。MOSFET 的物理“漏极”变成了电源,它在 PMOS 版本中是较高的电位,而在 NMOS 版本中则是较低的电位。 因MOS场效应管在三极管区域中是电对称,它们在两个方向上即可传导电流,晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。

    时间:2023/11/17键词:MOS场效应管

  • 达林顿晶体管IC及达林顿晶体管阵列-IC知识-竟业电子 达林顿晶体管IC及达林顿晶体管阵列-IC知识-竟业电子
    达林顿晶体管IC芯片是ULN2003阵列。达林顿阵列家族由ULN2002A、ULN2003A和ULN2004A组成,它们都是高电压、高电流达林顿阵列,每个阵列在单个IC封装内包含七个开集电极达林顿对。

    时间:2023/11/14键词:IC

  • 变电压电源电路分析及额外短路保护-电源知识-竟业电子 变电压电源电路分析及额外短路保护-电源知识-竟业电子
    变电压电源电路,通过将电流表和电压表连接到输出终端,可以稍微改进基本电压调节电路。 这些仪器将提供变电压调节器的电流和电压输出的视觉指示。 如果需要的话,还可以在设计中加入快速引信,以提供额外的短路保护。

    时间:2023/10/25键词:电源

  • MOS场效应管开关电源中降压转换器交流开关损耗-竟业电子 MOS场效应管开关电源中降压转换器交流开关损耗-竟业电子
    交流开关损耗 MOS场效应管开关损耗 真实的晶体管需要时间来导通或关断。 产生损耗的原因:在导通和关断瞬变过程中存在电压和电流重叠,从而产生交流开关损耗。

    时间:2023/10/16键词:开关电源

  • 低寄生效应清洁MOS场效应管开关-MOS场效应管知识-竟业电子 低寄生效应清洁MOS场效应管开关-MOS场效应管知识-竟业电子
    如下图所示,功率级PCB设计中,器件引线和优化布局,引起寄生电感和电容,会导致电压振铃,致MOS场效应管电压应力。 功率级半桥中的寄生电感和电容,振铃 原因:二极管反向恢复 因快速开关,引起高电流变化率,导致高二极管反向恢复电流,它流经寄生布局电感。

    时间:2023/10/7键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管构成机械开关-MOS场效应管知识-竟业电子 MOS场效应管构成机械开关-MOS场效应管知识-竟业电子
    两个N沟道MOS场效应管背对背连接,阻断电路中两个方向电流的电路 必须选择合适的集成电路,即用于MOSFET的驱动器,或是包含MOSFET和驱动器的封装。 通常需要使用负载开关,可选的范围并不大。 在很多情况下,可使用热插拔控制器、电子保险丝、浪涌保护器、理想二极管和电源路径控制器,具体取决于应用和所需的额外监控功能。

    时间:2023/9/20键词:MOS场效应管

  • 电源路径中MOS场效应管监测充电放电电流电路图-竟业电子 电源路径中MOS场效应管监测充电放电电流电路图-竟业电子
    电池充电系统 关键:充电器本身+电量计 电量计:告电池指标 如:电池的充电状态SOC、剩余电量使用时间和电池充满所需时间。 电量计可以集成在主机端,或者集成在电池包中。集成在电池包中,电量计需要使用非易失性存储器来存储电池信息。 电源路径中的MOS场效应管监测充电/放电电流,保护电池免于遭受危险。

    时间:2023/9/1键词:MOS场效应管

  • 电源两级浪涌防护电路应用注意事项-竟业电子 电源两级浪涌防护电路应用注意事项-竟业电子
    电源模块体积小,在EMC要求比较高的场合,需要增加额外的浪涌防护电路,以提升系统EMC性能。如上图所示,提高输入级的浪涌防护能力,在外围增加了压敏电阻和TVS管。a与b目的:实现两级防护 但,可能适得其反。

    时间:2023/8/25键词:电源

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