CMOS场效应管电路输入端是场效应管结构，电压控制+输入阻抗高+不耗电流，手触摸，则电路开关即可接通。稳态触发器=U1+R1+C1 作用：执行延时和消除触摸时的干扰和抖动。 电路输入端第3脚：加二极管VD1为输入端保护二极管 作用：泄放积累的电荷和过高的反向电压。 U1：接成双稳态触发器形式 作用：控制继电器K的接通与断开。

场效应管：一种载流子参与导电+用输入电压控制输出电流的半导体元件 分类： N 沟道+ P 沟道，结型场管+绝缘栅型场管 IGFET（MOSFET） MOS 场效应管：增强型 EMOS +耗尽型 DMOS 每一类 N 沟道+ P 沟道导电 比较：MOSFET 与 BJT MOS 场效应管： 高输入阻抗+电压控制 BJT ：一低阻抗+电流控制型 驱动电路MOS 场效应管： 需要驱动电流很小，可直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。 开关速度快，因多数载流子器件，没有电荷存储效应，在快速度中可工作。 没有二次击穿失效机理，温度越高耐力越强，低热击穿，宽温度范围可有好能。 具有正的电阻温度系数。 漏极源极间寄生二极管可作箝位二极管，在电感性负载开关中有作用。

在逆变器中应用场效应管的电路及注意事项 逆变器：将低压直流电转变为220伏交流电的电子设备。 优势 1.带负载适应性与稳定性强 2.转换效率高、启动快； 3.安全性能好：产品具备短路、过载、过/欠电压、超温5种保护功能； 4.物理性能良好：产品采用全铝质外壳，散热性能好，表面硬氧化处理，耐摩擦性能好，并可抗一定外力的挤压或碰击； 场效应管逆变器电路如下所示: CD4069构成方波信号发生器。R1=补偿电阻 作用：改善震荡频率不稳，此震荡由电源电压变化产生。

如何测量结型场效应管放大能力 如：测量N沟道场效应管 用万用表量R×1k挡，黑表笔接漏极D，红表笔接源极S，正向电源1.5V电压加在场效应管 现在我们来看万用表指针，即漏源极间的电阻值的大小。 用手捏住栅极G，人体有50Hz感应电压，将它作输入信号加在栅极上，PN结耗尽层及沟道的宽度被控制住，因场效应管的放大作用，VDS与ID有变化，即漏源极间的电阻变化。 再看表头指针摆动幅度大，即场效应管放大能力强。 相反，如指针摆动幅度小，即放大能力较弱。 指针无反应，那么无放大能力，即不可用。

场效应管 具有拓宽效果，是电压操控型器材，与通常晶体管电流操控型器材相反， 它具有输：入阻抗高、噪声低。 场效应管三电极 栅极+源极+漏极 如下电路所示 场效应管组态电路：共源极+共漏极+共栅极拓宽器。 共源极拓宽器 如下图所示（a） 共漏极拓宽器 如下图所示（B）输入信号：从漏极与栅极间输入 输出信号：从源极与漏极之间输出 它或叫源极输出器或源极跟从器。

反激电源高压MOS场效应管电流尖峰对电源影响 1.电流尖峰di/dt非常大会很大的影响开关电源EMI。 2.电流尖峰di/dt它会在MOS场效应管开通时增加交越损耗，因此效率会降低。 3.因为电流尖峰，开关电源芯片增加前沿消隐以避免误触发，如果尖峰过高也会导致误触发。为什么会产生MOS场效应管电流尖峰 1.MOS场效应管开启，驱动电流G→S有电流，但因有驱动电阻，它的值并不大。 2.另通路经过MOS场效应管，看上去此路径连接电感，与尖峰电流相比，此电感电流=主电流从0↑，并有隐藏通路，变压器原边绕组有寄生电容，它里面存储电量瞬间由MOS场效应管放出，即产生很大的尖峰电流。

稳压电路中用场效应管提高稳压精度，如果在直流小信号调制电路中有直流信号放大，解决方案大闭环负反馈和将直流信号调制成交流信号再进行交流放大，如下图所示：a图场效应管稳压电路，R=限流电阻，用结场型场效应管替换。 b图零栅压工作，看场效应管输出特性曲线。 UDS下降，IDS变化少。 稳压管的工作电流保证不变，提高了稳压精度。 用场效应管，允许电源变动范围，比采用限流电阻稳压电路大。

MOS场效应管应用于超级电容器 可降低工作偏置电压+平衡电路的功耗+可根据温度、时间和环境变化而自动调节。 超级电容器电池电压平衡方法：主动式和被动式。 主动式： 使用运算放大器op-amp或MOS场效应管进行电流平衡。 被动式： 用低值电阻。 缺点：耗能+不能随温度变化而调节。 MOS场效应管平衡超级电容器

 a：在跨导级NMOS管M1 漏端接负载电阻R ，M1 管的电流In 在A 点分流。 电流流向： 1.流经开关管Is。 2.流经负载电阻Ir。 但是这种跨导电路的缺点是射频信号一部分通过负载电阻R 泄露到交流地。 要让射频信号损失减少，电阻R值必须增加，但减小节点A直流电压。 低电源电压下，M1 管是否工作在饱和区不可控。 解决方案：负载电阻R用有源负载代替，看b电路 。 PMOS管增大节点A与电源电压间的阻抗， 如：把M1 和M2的栅极连起来，形成CMOS反相器结构，那么M2 在增加阻抗的同时还能跟M1共同放大射频信号 ，如 c电路 ，避免射频信号通过M2 泄露到交流地。

反型与积累型MOS变容管 普通MOS变容管调谐特性单调。 获得单调的调谐特性方法如下： 确保晶体管在VG变化范围大的情况下不进入积累区，可通过将衬底与栅源结断开，与电路中的最高直流电压短接来完成。