自举栅极驱动电路+高边N沟道场效应管一起应用,高边开关的开关转换，也适用于自举驱动。 但此个电路最大的难点，在于当截止的时，MOS场效应管的源极存在负电压。 负电压的振幅与连接主MOS场效应管与地的寄生电感成比例，包括与整流器相连的寄生电感，器件的闭合速度，大部分由栅极驱动电阻RGATE和输入电容CISS决定。 此负电压可给驱动器的输出级带来影响 因：它可直接影响驱动器或者PMW集成电路的源极引脚——经常被叫做SRC或者VS引脚： 1.可能会使一些内部电路显著低于地。 2.负电压暂态可能引起在自举电容上产生过压。

高能量桥式或半桥式转换器中，驱动多个MOS场效应管的需求，由推挽式或者被双端PWM控制器控制。应用中，两极对称的栅极驱动电压很有效，在第一个时钟周期中，OUTA是导通的，让通过栅极驱动变压器的初级线圈产生了一个正压。 在下一个时钟周期中，OUTB导通了一段时间即稳态时间，通过磁化电感产生一个极性相反的电压。 在任意两个时钟周期中，通过变压器初级线圈的平均电压为0V。 因此在推挽式栅极驱动电路中不需要交流耦合。 元件容差产生，在控制器中抵消不平衡成分，这此偏差易被驱动器的输出阻抗或者跟变压器的初级线圈串联的一个小电阻补偿掉。

MOS场效应管的关断过程恰好和它的导通过程相反。 电压VGS从下图的VDRV开始，电流从下图的最大负载电流IDC开始，漏源电压由MOS场效应管的电流IDC和导通阻抗决定。第一个阶段是关断延迟，需要电容CISS从最初值电压放电到Miller平坦区水平。 此期间电容CISS提供栅极电流，流入MOS场效应管的电容CGS和CGD。 元器件的漏极电压随着过载电压的减小而略微的增大。 此阶段漏极电流几乎不变。

开关电源应用中，主功率开关用N沟道MOS场效应管很广泛。 原因：成本低，速度快，导通阻抗低。 N沟道MOS场效应管应用于高边开关，在栅极MOSFET的栅极驱动必要。 驱动器必需能够承受在开关切换时，猛烈的电压波动，和能够驱动栅极电压在电源正极电压高的MOS场效应管。 一般情况，栅极驱动电压 > 电路中直流电源最高电压。 N沟道MOS场效应管高边直接驱动 简单应用中，可以是PWM控制器驱动或接地驱动器,忽略pnp晶体管的断开，此结构与以地为参考的原理图相比。 因漏极和直流输入端相连，开关动作发生在器件的源极端。 它仍具有相同开关时间间隔的感应开关。 但是从栅极驱动设计看，它是一个完全不同的回路。 栅极驱动电流不能回到源极的地端，相反,它必须经过负载,与器件的源极相连。 在不间断的电感电流模式下，栅极充电电流必须经过输出电感和负载； 而在连续电感电流模式下，回路却可以通过控制整流二极管的pn结被打断。 在断开时候，栅极放电电流通过连接地和MOSFET的源极的整流管。 在所有的工作模式中, 电容Cgd的充放电电流都流过功率级的高频旁路电容。

电源应用中，驱动门开关MOS场效应管简易法应用PWM控制器,直接驱动：最难点是最优化电路布线。在PWM和MOS场效应管间距离很大。 此距离会引起，由门驱动和地间回路造成寄生电感，即降低开关速度和引起在MOS场效应管驱动波形中的噪声。 使用地线层，也不能消除寄生电感。 原因：地线层仅比地回路的寄生电感小些。 要减小驱动连线的寄生电感，必须要有较宽PCB布线。 直接驱动：PWM控制器的电流驱动能力。 这将限制，由PWM控制器驱动的，在最佳工作状态的芯片的最大尺寸。 让PWM直接驱动MOS场效应管的另一个限制因素，驱动器内部的功率损耗。解决方案：外接栅极电阻。

源极电感系数对MOS场效应管的性能影响很大。 典型电路中，寄生电感有两个来源， 1.MOS场效应管封装时的封装接线； 2.在源极端和共地端的印刷电路板线的电感。 当高频滤波电容的负极和门驱动的旁路电容，在功率级时通常要考虑这些。 在源极的一系列电流检测电阻也会对前两部分电路增加额外的电感。 开关过程中，有两个机制，包括源极电感。 开关转换开始，栅极电流慢慢增大，电流必须流经源极电感，而且会变慢，这取决于电感值。因此，MOS场效应管输入电容的充放电时间，将会变长，因此影响导通延迟和截止延迟。源极电感和电容CISS组成共振电路，

在使用双极型晶体管作为输出级和直接驱动的另一个需要做的事情是为双极型晶体管的输出提供适当的保护，这主要是针对反向电流的。,集成电路的输出级是使用npn晶体管，这是由于他们的高效区和比较好的性能。 图中的每个npn晶体管只能控制一个电流方向。上面那个可以控制拉电流但不能控制灌电流，下面那个恰好相反。 在MOS场效应管的导通和截止时源极电感和MOS场效应管的输入电容之间不可避免的波动迫使电流输出时要向两个方向流动。

场效应晶体管技术 双极晶体管与场效应晶体管工作原理相同。 都是电荷控制元件 即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例。 当它们被用作开关时，两者必须和低阻抗源极的拉电流和灌电流分开，用以为控制极电荷提供快速的注入和释放。 MOS场效应管在不断的开与关，速度可和双极晶体管相比拟时，它被驱动的将十分的‘激烈’。 理论 双极晶体管和MOS场效应管的开关速度是相同的，取决与载流子穿过半导体所需的时间。 在功率器件的典型值：20 ~ 200皮秒，但这个时间和器件的尺寸大小有关。 与双极结型晶体管相比，MOS场效应管优势： 1.在高频率开关应用中MOS场效应管使用比较方便。 MOS场效应管易被驱动，因它的控制极和电流传导区是隔离开的，不需持续电流控制，MOS场效应管导通后，驱动电流几乎为0。 2.在MOSFET中，控制电荷积累和存留时间大大减小。 解决：设计中导通电压降和关断时间间的矛盾。

MOS场效应管栅极驱动变压器作用 传递以地为参考的栅极激励脉冲，让它通过比较大的势差来调解变动的驱动。可缩放电压。 它操控：低能量，高峰值电流来驱动功率场效应管的栅极。 栅极驱动变压器：被像PWM占空比功能可变的脉冲宽度来驱动，振幅的固定或变动取决于电路排布。 单端电流模式：电路中栅极驱动变压器是交流耦合，磁化部分产生了振幅可变的脉冲。 双端引线安排：像半桥式应用中，用振幅固定的信号来驱动栅极驱动变压器。 所有情况下，栅极驱动变压器在B-H曲线的第一个和第三象限都工作。

MOS场效应管亚阈区电流 MOS场效应管测试都要求进行弱电流的测量。 包括栅极漏电+泄漏电流+温度的关系+衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。 亚阈区电流测试常在晶圆片级进行。 它是表示器件打开和关闭的快慢程度的参数。 如下图所示 测量亚阈区电流经典电路图，4200型半导体特性分析系统配备2个SMU和前置放大器。 用一个SMU来提供恒定的漏-源电压（VDS），并测量产生的漏极电流IDS。 另一个SMU用来扫描栅-源电压（VGS）。 此SMU，应当将钳位电流或测量电流值，设置为固定测量量程上最高期望的栅极电流。