场效应管：一种载流子参与导电+用输入电压控制输出电流的半导体元件

分类： N 沟道+ P 沟道，结型场管+绝缘栅型场管 IGFET（MOSFET）

 

MOS 场效应管：增强型 EMOS +耗尽型 DMOS

每一类 N 沟道+ P 沟道导电

 

比较：MOSFET 与 BJT

MOS 场效应管： 高输入阻抗+电压控制

BJT ：一低阻抗+电流控制型

 

驱动电路MOS 场效应管：

1. 需要驱动电流很小，可直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。
2. 开关速度快，因多数载流子器件，没有电荷存储效应，在快速度中可工作。
3. 没有二次击穿失效机理，温度越高耐力越强，低热击穿，宽温度范围可有好能。
4. 具有正的电阻温度系数。
5. 漏极源极间寄生二极管可作箝位二极管，在电感性负载开关中有作用。

BJT ：需要多达 20% 的额定集电极电流以保证饱和度。

 

场效应管工作模式

关模式：即开关

线性模式：元件工作在某个特性曲线中的线性部分。

线性：保持连续性工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极间电压的函数。

 

两者区别：开关电路，MOSFET 的漏电流是由外部元件确定，线性电路并不是。