UVLO 监视栅极驱动器的电源引脚，以确保电压保持在 特定的阈值以上，从而确保正常工作。在次级侧，UVLO 额定值设置了打开电源开关所需的最小允许驱动电压。栅极电压对导通损耗和开关损耗都有影响。

因可用栅极电流减小，当 VGS 较小时，开关损耗将增加，从而使开关速度更慢：

导通损耗
高度依赖 于VGS
如下图所示

当栅极电压降低时，IGBT 和 SiC MOSFET 的输出特性会发生变化。
SiC MOS场效应管会变化更加明显
如某个 IGBT 的 UVLO = 10V，则该器件仍会在特定的电流水平下以类似的导通损耗运行。

 

对于MOS场效应管，与较高的驱动电压相比，其导通损耗将高得多。
高导通损耗的结果，导致更低的效率和发热，从而缩短寿命。
一个次要的考虑因素 是栅极驱动架构。

 

SiC MOS场效应管和 IGBT 通常使用负电压轨，以实现更佳的关断性能和可靠性。如果 UVLO 以 VEE为基准，则最小驱动电压可能甚至低于规格。通常最好使用较高的 UVLO 电压，以确保随着时间的推移 实现低导通损耗和更佳的可靠性。