像双极结晶体管一样，JFET可以用于制造具有JFET公共源极放大器的单级A类放大器电路，其特性与BJT公共发射极电路相似。

JFET放大器优势

它们的高输入阻抗

如下图所示

R1和R2形成的栅极偏置电阻网络控制。

该共源（CS）放大器电路由电阻器R1和R2形成的分压器网络以A类模式偏置。源极电阻器RS两端的电压通常被设置为大约VDD的四分之一（VDD/4），但可以是任何合理的值。

 

可以根据该RS值来计算所需的栅极电压。

由于栅极电流为零（IG＝0），可以通过正确选择电阻器R1和R2来设置所需的DC静态电压。

负栅极电势对漏极电流的控制使结型场效应晶体管可用作开关，并且对于N沟道JFET来说，栅极电压永远不会为正是至关重要的。

原因：沟道电流将流到栅极而不是漏极，导致JFET损坏。

 

除了电压的极性需要反转之外，P沟道JFET的操作原理与N沟道JFET的操作原理相同。

在下一个关于晶体管的教程中，将研究另一种类型的场效应晶体管，称为MOS场效应管，其栅极连接与主载流通道完全隔离。