在eMOS场效应管两端连接固定的VDS漏极-源极电压的情况下，可绘制漏极电流ID的值与VGS的变化值，以获得MOS场效应管正向直流特性的曲线图，这些特性给出了晶体管的跨导gm。

这种跨导使输出电流与表示晶体管增益的输入电压相关。
对于VDS的恒定值，跨导曲线在沿着它的任何点处的斜率被给出为：
gm＝ID/VGS。

假设MOS晶体管
在VGS＝3v时，通过2mA的漏极电流
在VGS=7v时，通过14mA的漏极电压

 

这个比率被称为晶体管静态或直流跨导，它是“传输电导”的缩写，以西门子（S）为单位，即每伏的安培数。

MOS场效应管放大器的电压增益与跨导和漏极电阻器的值成正比。
 

在VGS=0时，没有电流流过MOS晶体管沟道，因为栅极周围的场效应不足以创建或“打开”n型沟道，晶体管在其截止区域中充当断开开关。

在施加零栅极电压的情况下，n沟道eMOS场效应管被称为常关，并且这种“关”状态由eMOS FET符号中的断开的沟道线表示（不同于具有连续沟道线的耗尽型）。

随着现在逐渐增加正栅极-源极电压VGS，场效应开始增强沟道区域的导电性，并且成为沟道开始导通的点，这一点被称为阈值电压VTH。
 

当将VGS增加得更正时，随着漏极电流的量，导电沟道变得更宽（电阻更小），因此ID增加。请记住，栅极从不传导任何电流，因为它与沟道电隔离，从而使mosfet放大器具有极高的输入阻抗。

当栅极-源极电压VGS小于其阈值电压电平时，n沟道增强型mosfet将处于其截止模式，当VGS高于该阈值电平时，VTH及其沟道导通或饱和。