SiC场效应管是在SiC WBG技术最好的， Qorvo的一部分。

是 SiC场效应管 和硅 MO场效应管 的常关共源共栅组合，

 

品质因数FoM是所有竞争技术最佳

特定电压等级器件导通电阻 * 芯片面积=FOM RdsA

 

如下图所示

SiC场效应管品质因数 RdsA与竞争技术相比

 

SiC场效应管硬开关拓扑表现最佳因素：低损耗体二极管，快速开关。

 

如，OBC PFC 前端，图腾柱布置或有源前端，具有高效率和双向能力.

 

如，无需反向功率流，Vienna 整流器常见，用的晶体管额定电压低，在 800V 总线应用中也是如此，且受益于用具有超低导通损耗的 SiC FET。

 

 

SiC FET也可应用于 OBC DC/DC 转换阶段。

该级通常是软开关 LLC 或 CLLC 拓扑，后者非常适合双向功率转换。