pqfn3.3×3.3封装的20V单N沟HEXFET功率MOSFET

优势

1.针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化

2.符合JEDEC标准的产品鉴定

3.优化为4.5 V栅极驱动电压（称为逻辑电平），并能够在2.5 V栅极驱动电压下驱动（称为超级逻辑电平）

4.行业标准表面安装电源组件

5.高RDS（ON）SuperSO8包的潜在替代品

6.能够进行波峰焊接

 

英飞凌mos场效应管IRLHM620TRPBF参数    IRLHM620 Datasheet下载