最新950V CoolMOS™专为满足高压MOSFET领域日益增长的消费者需求而设计 P7技术专注于低功耗开关电源市场。

提供比前代900V CoolMOS™ 高50V的阻断电压C3，950V CoolMOS™ P7系列提供卓越的性能，在效率，热行为和易用性。

作为所有其他P7家族成员，950V CoolMOS™ P7系列配备集成齐纳二极管ESD保护。集成二极管大大提高了静电放电的稳健性，从而减少了与静电放电相关的成品率损失，达到了非常容易使用的水平。正向电阻™ P7采用同类产品中最好的3V VGS（th）和仅±0.5V的窄公差开发，使其易于驱动和设计。

 

英飞凌mos场效应管IPA95R750P7功能概述

1.同类最佳FOM RDS（on）EOS；减少Qg、Ciss和Coss

2.一流的DPAK RDS（on）450 mΩ

3.最佳VG（th）为3V，最小VGS（th）变化为±0.5V

4.集成齐纳二极管ESD保护高达2级（HBM）

5.一流的质量和可靠性

 

英飞凌mos场效应管IPA95R750P7优势

1.与CoolMOS相比，效率增益高达1%，MOSFET温度降低2°C至10°C™ C3

2.实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的装配成本

3.易于驾驶和设计

4.通过减少ESD相关故障提高产量

5.减少生产问题，减少油田收益

 

英飞凌mos场效应管IPA95R750P7潜在应用

1.照明

2.智能电表

3.手机充电器

4.笔记本适配器

5.辅助电源

5.工业用开关电源

 

英飞凌mos场效应管IPA95R750P7参数     Datasheet下载