英飞凌infineon和Infypower合作扩大在新能源汽车充电器市场的影响力

基于碳化硅（SiC）的功率半导体具有高效、功率密度、耐压和可靠性等优点。这为新的应用和改进充电站技术创新创造了机会。英飞凌infineon今天宣布与中国新能源汽车充电市场领导者Infypower合作。英飞凌将为INFY提供业界领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，提高电动汽车充电站的效率。

英飞凌infineon绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：英飞凌和Infypower在电动汽车充电解决方案领域的合作为当地电动汽车充电站行业提供了卓越的系统级技术解决方案，它将显著提高充电效率，加快充电速度，为电动汽车车主创造更好的用户体验。
 

Infypower中国总裁邱天泉表示：凭借英飞凌20多年来在SiC产品供应方面的持续进步和集成技术的实力，Infypower可以通过采用最先进的产品工艺和设计解决方案来巩固和保持其在行业中的技术卓越地位，我们还可以为新能源汽车直流充电器的充电效率制定新的标准。因此，客户可以享受更多的便利和独特的价值，促进电动汽车充电行业的健康发展。”
 

SiC的高功率密度使得能够开发高性能、轻量化和紧凑型充电器，特别是用于增压站和超紧凑壁挂式直流充电站。与传统的硅基解决方案相比，电动汽车充电站中的SiC技术可以将效率提高1%，降低能源损失和运营成本。

在一个100千瓦的充电站中，这意味着可以节省1千瓦时的电力，每年节省270欧元，并减少3.5吨的碳排放。这推动了SiC功率器件在电动汽车充电模块中的日益采用。

作为首批将沟槽栅技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了一种先进的设计，为充电器提供了高可靠性。这些器件提供了高阈值电压和简化的栅极驱动。

CoolSiC MOSFET技术在商业发布前进行了马拉松式应力测试和栅极电压跳跃应力测试，之后定期进行监测，以确保最高的栅极可靠性。

Infypower的30kW直流充电模块集成了英飞凌infineon的1200V CoolSiC MOSFET，提供了宽的恒定功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高保护性能和高可靠性。

通过这种方式，它非常适合大多数电动汽车的快速充电需求，同时与市场上的其他解决方案相比，它具有更高的1%的效率。因此，实现了显著的能源节约和二氧化碳减排，在全球范围内处于领先地位。

作为首批将沟槽栅技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌infineon推出了一种先进的设计，为充电器提供了高可靠性。这些器件提供了高阈值电压和简化的栅极驱动。CoolSiC MOSFET技术在商业发布前进行了马拉松式应力测试和栅极电压跳跃应力测试，之后定期进行监测，以确保最高的栅极可靠性。