英飞凌infineon灵活性满足更高的功率密度和性能：Infineon扩展了1200 V 62 mm IGBT7产品组合，提供了新的最大额定电流

英飞凌infineon推出了一款62毫米半桥和通用发射器模块组合，带有1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片。经过验证的62毫米外壳提供了广泛的产品，并为封装系列提供了新的800A最大电流等级。产品组合当前类别的增加为系统设计者提供了设计更高电流功率解决方案的高度灵活性，同时提供了更高的功率密度和电气性能。

它是为满足太阳能中央逆变器以及工业驱动应用和不间断电源（UPS）的需求而定制的。此外，电动汽车充电、储能系统（ESS）和其他新的工业应用也可以涵盖在内。

基于新的微图案沟槽技术，与具有IGBT4芯片组的模块相比，具有1200 V TRENCHTOP IGBT7芯片的62mm模块系列具有显著更低的静态损耗。

这导致应用中的损耗显著降低，尤其是在通常以中等开关频率工作的工业驱动器中。IGBT的振荡特性和可控性得到了改善。此外，新型电源模块的最大过载接点温度为175°C。

坚固的镀镍铜基板和螺纹主端子确保了62mm模块外壳的高机械坚固性。主端子位于外壳的中心，由于低电感直流链路连接，因此非常适合并联电路和三电平配置。模块系列中不变的标准封装设计和尺寸支持与先前模块版本的机械兼容性。此外，所有模块均采用英飞凌经过验证的预应用热接口材料（TIM）。

基于英飞凌infineon新的微图案沟槽技术，与采用IGBT4芯片组的模块相比，采用1200 V TRENCHTOP IGBT7芯片的62mm模块系列具有显著更低的静态损耗。这导致应用中的损耗显著降低，尤其是在通常以中等开关频率工作的工业驱动器中。