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英飞凌DDPAK/QDPAK肖特基二极管Gen 6用于创新顶侧冷却SMD解决方案-竟业电子

   时间:2023/7/25      阅读:657    关键词:英飞凌infineon

 

英飞凌infineon CoolMOS SJ MOSFETCoolSiC™ 双四路DPAKDDPAK/QDPAK)中的肖特基二极管Gen 6

用于高功率应用的创新顶侧冷却SMD解决方案

借助DDPAK封装,英飞凌infineon科技推出了首款顶侧冷却表面安装器件(SMD)封装,用于PC电源、太阳能、服务器和电信等高功率SMPS应用。现有高压技术的优势

600V CoolMOSG7超级结(SJMOSFETCFD7S7CoolSiC™ 肖特基二极管650V G6与顶侧冷却的创新概念相结合,为PFC等大电流硬开关拓扑提供了系统解决方案,为LLC拓扑提供了高端效率解决方案。

凭借最新的QDPAK封装,Infineon进一步扩展了顶部冷却产品。QDPAK封装是DDPAK的两倍大,可用于更高功率的应用。它不仅是SMPS应用的完美选择,而且为静态和慢速开关应用提供了好处,因此也可在CoolMOS中使用™ S7(解决工业应用)和S7A系列(解决汽车应用)。

基于SMDSMPS设计支持快速切换,并有助于减少与诸如普通to-220TO247封装之类的长引线封装相关联的寄生电感。在当今基于SMD的设计中,输出功率受到PCB材料的热极限的限制,因为热量必须通过板耗散。得益于DDPAKQDPAK的顶侧冷却概念,板和半导体的热去耦成为可能,从而实现更高的功率密度或提高系统寿命。

功耗提高约20%

基于DDPAKSMD解决方案允许在标准冷却概念的板温度水平上达到高达20%的功耗,从而在给定的形状因子下实现更高的功率密度。

~12°C下板温度

基于DDPAKSMD解决方案允许在标准冷却概念的输出功率水平上,在约12°C的较低板温度下驱动应用,从而延长系统寿命。这同样适用于QDPAK封装。得益于顶部冷却,客户可以提高功率密度或系统寿命。

英飞凌DDPAK/QDPAK肖特基二极管Gen 6用于创新顶侧冷却SMD解决方案

用于高功率应用的创新顶侧冷却SMD解决方案
DDPAK&QDPAK提供一个内置的4英寸开尔文源配置和非常低的寄生源电感。独立引脚“源感应”为驱动器提供未受干扰的信号,从而提高了易用性。这种4引脚功能与英飞凌最新的超级结MOSFETCoolSiC的结合™ 肖特基二极管技术确保了最高的效率水平,并使客户能够达到80 PLUS®钛标准。

 

英飞凌DDPAK/QDPAK肖特基二极管Gen 6用于创新顶侧冷却SMD解决方案

DDPAKQDPAK软件包的主要功能和优点
主要功能
创新的顶侧冷却概念
内置第4引脚Kelvin源配置和低寄生源电感
TCOB能力>2000次循环,符合MSL1标准且完全不含铅

 

主要优点
板和半导体的热去耦允许克服PCB的热限制
寄生源电感的降低提高了效率和易用性
实现更高的功率密度解决方案
超越最高质量标准

 

主要功能-CoolMOSG7,冷却MOSCFD7CoolSiCG6采用DDPAKQDPAK封装
CoolMOSG7CFD7
提供同类最佳FOM RDS(开)x EossRDS(关)x Qg
实现最高能效
用于
CoolMOS™ 的最低Qrr和同类最佳集成快体二极管P7
CoolMOG6

提供一流的VFFOM Qc x VF
提高了dv/dt的耐用性

CoolMOS™轻松有效的匹配 7个超级结MOSFET系列
实现最高能效

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