英飞凌infineon推出H7变体的Gen7离散650 V TRENCHSTOP™ 用于节能电力应用的IGBT

英飞凌infineon扩展其第7代TRENCHSTOP™ IGBT系列采用分立的650V IGBT7H7变体。

这些设备采用尖端的EC7共封装二极管，具有先进的发射极控制设计，再加上高速技术，以满足对环保高效电源解决方案日益增长的需求。
 

TRENCHTOP IGBT7 H7采用最新的微图案沟槽技术，提供了卓越的控制和性能，显著降低了损耗，提高了效率和更高的功率密度。因此，该设备非常适合各种应用，如串式逆变器、储能系统ESS、电动汽车充电应用以及传统应用，如工业UPS和焊接。

在分立封装中，650 V TRENCHTOP IGBT7 H7可提供高达150 a的电流，该产品组合包括40 a至150 a的变体。

有四种不同的封装类型：to-247-3 HCC、to-247-4、to-24 7-3 Plus和to-247-4Plus。TRENCHTOP IGBT 7 H7的TO-247-3 HCC变体具有高爬电距离。

为了提高性能，TO-247 4引脚封装，标准：IKZA，Plus：IKY特别适合，因为它们不仅降低了开关损耗，还提供了其他好处，如更低的电压过冲、最小化的传导损耗和最低的反向电流损耗。凭借这些功能，TRENCHSTOP IGBT 7 H7简化了设计，最大限度地减少了并联设备的需要。

650 V TRENCHSTOP IGBT 7 H7具有强大的防潮性能，可在恶劣环境中可靠运行。根据JEDEC47/20/22，特别是HV-H3TRB的相关测试，该设备符合工业使用要求，非常适合户外应用。

IGBT旨在满足绿色高效电源应用的需求，比前几代产品有了显著改进。因此，TRENCHSTOP IGBT 7 H7是经常用于太阳能和ESS等应用的NPC1拓扑的理想补充。

英飞凌infineon的TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新的微图案沟槽技术，提供卓越的控制和性能，显著降低了损耗，提高了效率和更高的功率密度。因此，该设备非常适合各种应用，如串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及传统应用，如工业UPS和焊接。