MOS场效应管开关等离子V2屏开关电源PFC部分激励电路,为了保证PFC开关电源有足够的功率输出，采用两只MOS场效应管Q1、Q2并联应用，如下路所示，它是该并联开关电源等效电路图，图中可以看出该并联开关电源是加在整流桥堆和滤波电容C5之间的，

计算栅极阈值电压 设NMOS场效应管的导通阈值电压为Vth，导通时的导纳为gfs(max)，则考虑到阈值电压与导纳的作用，存在关系： Vplt=Vth+Iinrush/gfs(max) 导纳gfs(max)可以在NMOS的手册中查到，选择Cgd’时应该保证： Cgd’>>Cgs+Cgd VDD*Cgs/(Cgs+Cgd’)

MOS场效应管的G S两级间有电容存在，因此电容让驱动MOS变得不确定。 在理想状态下 MOS场效应管开关速度越快越好 因：开关时间越短，开关损耗越小 即MOS管驱动电路决定电源效率 MOS管 若把GS间的电压，从0拉到管子的开启电压所用的时间越短， 即MOS管开启的速度会越快。

NMOS场效应管逻辑门电路组成：Ｎ沟道MOSFET NMOS逻辑门电路基本构件：NMOS反相器 工作管：增强型元件，负载管可强型也可耗尽型。 是以增强型元作为负载管的NMOS反相器的工作原理,NMOS场效应管反相器原理电路 T1=工作管 T2=负载管 gm2=T2管的跨导 gm1=T1管的跨导

如下电路中，MOS场效应管作开关 com1=高电平 out=12V com1=低电平 out=0V out外接电路电流在30mA内 工作一段时间后，com1=0V，out输出也有11V多 但是MOS管失效 原因：A3401 MOS场效应管的Vgs最大极限是12V，属于开启门限低的； 3401 GS的电压最大是12V，电源是12.5V左右

上图加热电路 用MCP1402 驱动， U18  MCP1402的3脚 接单片机的PWM输出口 5脚 out脚接mos管 C145处放置一个1uf电容连接mos管。 PWM信号用电容连接mos管更安全可靠 原因：电容是通交阻直流，当MCP1402前级出现故障，直接满PWM输出时，可以限制后端的加热功率。

MOS场效应管和二极管是DC-DC转换器拓扑产生功耗的主因。 损耗：传导损耗和开关损耗。 在电流流过回路，器件导通时，MOSFET导通电阻RDS(ON)与二极管的正向导通电压决定传导损耗。 MOS场效应管传导损耗 PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)²*RDS(ON)*D

静电感应型结型场效应晶体管： （a）横截面 （b）原理图符号 静态感应场效应晶体管即SIT 它是一种短沟道元器件，带有掩埋栅极 如上图，它并不是一种信号比较小的设备图，而是一种功率设备图。 快速开关器件构成： 低栅极电阻 + 低栅极至源极电容

MOS场效应管应用中提高漏极电感的解决方案 在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变化，降低米勒振荡 此解决方案：改善EMC 优势：效果比较好 缺点：如果应用于高频率强电流，磁珠因高发热失效。 PCB布线时，人为引入布线电感，增长MOS场效应管漏极、源极的PCB布线长度

R2是G级的串联电阻 串联电阻的原因：寄生电容 在G级串联一个电阻 与 Ciss（Ciss = Cgd+Cgs） 形成一个RC充放电电路，可减小瞬间电流值 保证MOS管驱动芯片不被弄坏 或是抑制振荡 MOS管接入电路，有引线产生的寄生电感，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。 开关方波波形，是有很多频率成分，它可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。