场效应管共源极放大器实验电路图 如下图所示： 自给偏压方式为放大器建立静态工作点，R1中无电流流过，栅极通过R1接地，栅极与地等电位。 VG=0 用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值； 输出阻抗测量  放大器输出阻抗值 场效应管共源极放大器带负载能力 用伏安法测试放大电路输出阻抗测试电路图,输入信号频率选择在放大电路中频段 输入信号大小调整到确保输出信号不失真 用示波器监视输出信号波形 1.不接负载RL，用毫伏表测得输出电压V01 2.接上负载RL，用毫伏表测得输出电压V02

特性曲线有2条：输出特性曲线+转移特性曲线，输出特性曲线意义解析栅极与源极电压UGS 一定时，漏极电流iD与漏极与源极间电压UDS的关系，结型MOS场效应管转移特性曲线作用：在一定漏源电压u陌，栅极与源极电压UGS和漏极电流iD间变化关系曲线，栅流ic被不容许出现，让输入阻抗值大，栅极与源极电压对沟道宽度及漏极电流有效地停止控制，PN结一定要反偏，因此N沟道结型场效应管中uGS < 0

单端甲类场效应管功放电路电路原理：简洁+电子元器件能少即少，多一个电子元器件和多一条线路即多一分失真；VMOS场效应管：有负电流温度系数，栅源间电压不变，导通电流随管子温度升高而减小，但场效应管温度变化与电流变化速率差异大，防止负温度系数惯性延迟影响工作状态，则：在IRF510阴极串上补偿电阻； 补偿电阻：正温度系数，阻值=100Ω/2W VMOS场效应管电压控制电子元器件，内阻高，栅源间连接充电电容， 栅漏电流小，电容电压保持不变在长时间段，场效应管工作在可调电阻区， 漏源极电阻受栅源电压（电容电压）控制，此时场效应管=压控可变电阻， 指触开关S1闭合，向电容充电； 指触开关S2闭合，电容放电； 达到以电压控制漏源间电阻； 在音响设备中，即可调节音量大小；

场效应管小信号等效模型电：低频小号线性模型+高频小号线性模型电路图及公式，分析它们之关的关系，模型适应用：中、低频段场效应管(此时场效应管内部各等效电容因其容抗很小而被认为开路) ，该小信号模型与场效应管类型和图b小信号线性等效模型和放大组态无关。 注意该模型：受控源gmUgs方向，从漏极D指向源极S。 如上图b所示 考虑场效应管极间等效电容后的场效应管高频小信号线性模型。 在工作频率较高时，等效电容Cgs，Cgd，Cds等的容抗将在其中起到分流或分压的作用，

电阻方法检测无标识场效应管 1.找到两个引脚有电阻值，即源极Ｓ+漏极Ｄ，剩下是一栅极G+第二栅极G； 2.用表笔把源漏间测到的电阻值记录好，对调表笔再测一次并记录下电阻值，比较他们的值大小，大的电阻值的一次，黑笔挡的是漏极Ｄ，红笔源极Ｓ； 3.源极与漏极确定了位置后，再对应位置装入电路，一般G、G都会衣次对准位置，即源极，漏极，栅极都确定位置； 跨导大小检测 用反向电阻值变化检测法 如：对VMOS N沟道增强型场效应管进行检测 用红笔接源极Ｓ，黑笔接漏极Ｄ，在源与漏间加一个反向电压，栅极开路，场效应管反向电阻值不稳定； 用万用表欧姆档设置在高阻档R×0kΩ，此时表内电压高，用手触栅极Ｇ，此时场效应管反向电阻值有变化，越来越大，跨导值也越高； 若：被测场效应管跨导小，用此方法，反向阻值变化小；

场效应管基本放大电路三种组态：共源极组态+共漏极组态+共栅极组态。偏置电路：固定偏置电路+自给偏置电路+分压式偏置电路；固定偏置放大电路给场效应管提供负偏压， 偏置电压：外加电压Ugg提供 因场效应管输入电阻大，流过栅极电流=0，Rg两端电压到0；自给偏置电路 场效应管自给偏置放大电路 用结型FET和耗尽型FET UGS=0时 ID=0  在FET源极接入电阻R可在静态时得到 UGS= IDR且IG=0  RG两端电压降为0， UG=0 可得公式 UGS=UG-US=-IDR

电阻法测场效应管好坏,万用表置于Ｒ×０ｋ档，测栅极Ｇ与源极S，栅极Ｇ与漏极D间电阻值； 若：所测得电阻值=无穷大，则场效应管是好的； 若：所测得电阻值非常小或通路，则场效应管已经损坏； PS：两个栅极在管内断极，可用电子元器件代换法进行检测；测场效应管放大能力：感应信号输入法 1.万用表电阻R×00档，红笔接源极Ｓ，黑笔接漏极Ｄ，在场效应管上加电源电压， 表针指示：漏极D与源极S间电阻值，用手碰触栅极Ｇ，将人体感应电压信号加在栅极G上，因场效应管放大作用，漏源电压VDS+漏极电流Iｂ+漏源极间电阻，此三项都发生变化， 查看表针摆动幅度；

场效应管（FET）种类：结型场效应管JFET+绝缘栅场效应管MOSFET 结型场效应管JFET的符号和结构结型场效应管工作原理：利用半导体内电场效应工作； 结型场效应管JFET管脚识别检测 万用表置于R×k档，两笔分别检测每两个管脚间的正，反向电阻 若：其中两脚 正向电阻=反向电阻=数KΩ，则可互换的漏极D+源极S，第三脚为栅极G； 第四脚为屏蔽极（应用时接地）

用万用表检测VMOS场效应管三极，跨导检测 万用表置R×1k或R×100档，红笔接源极S，黑笔接漏极D，用螺丝刀碰触栅极G， 表针偏转，越大，VMOS场效应管跨导越高；源极S与漏极D检测方法 源极-漏极间有PN结，由于PN结正与反向电阻存在差异，根据此因可判断出源极和漏极； 用交换表笔法测两次电阻，电阻值较低一次为正向电阻，此时黑笔是源极S，红笔接漏极D； 

英飞凌mos场效应管IPA95R750P7功能概述 1.同类最佳FOM RDS（on）EOS；减少Qg、Ciss和Coss 2.一流的DPAK RDS（on）450 mΩ 3.最佳VG（th）为3V，最小VGS（th）变化为±0.5V 4.集成齐纳二极管ESD保护高达2级（HBM） 5.一流的质量和可靠性 英飞凌mos场效应管IPA95R750P7优势 1.与CoolMOS相比，效率增益高达1%，MOSFET温度降低2°C至10°C™ C3 2.实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的装配成本 3.易于驾驶和设计 4.通过减少ESD相关故障提高产量 5.减少生产问题，减少油田收益 英飞凌mos场效应管IPA95R750P7潜在应用 1.照明 2.智能电表 3.手机充电器 4.笔记本适配器 5.辅助电源 5.工业用开关电源