米勒平台时间，GS电容+Cgd电容+Id+Vd+驱动电流Igs+Layout回路大小+板级走线+MOS场效应管内部电感影响GS电流回路。 受影响即Vgs波形容易发生震荡。米勒电容Cgd大小，受漏极电压Vd影响 Vd电压越高，Cgd越大； Vd电压越低，Cgd越小； Vd电压间接影响GS电流 Vd电压高，受米勒电容影响越大。 高压MOS场效应管，Vd越大Id电流越小，即米勒电容大，DS电流小，导通后即容易震荡。 低压MOS场效应管，Vd电压低，米勒电容小，Id电流大，关断易震荡。

英飞凌infineon MOS场效应管IRF3205S优势 宽SOA的平面单元结构 为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化 符合JEDEC标准的产品鉴定 硅优化应用开关低于100千赫 工业标准表面贴装电源组件 高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸） 能被波浪焊接的 D2-Pak封装中的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET 为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化 符合JEDEC标准的产品鉴定 为10V栅极驱动电压优化（称为正常电平） 工业标准表面贴装电源组件 高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸） 能被波浪焊接的 英飞凌infineon MOS场效应管 IRF3205S参数   Datasheet下载

MOS场效应管操作期间，漏电感存储能量。 若电感没有正确钳位，MOS场效应管关断时，过初级开关让漏电感通放电，或致雪崩操作，雪崩故障模式：功率半导体元件设计在有限时间内承受一定量雪崩电流，可达雪崩额定值。 功率 MOS场效应管元件物理 半导体元件一般都含物理设计固有寄生元件，MOS场效应管组件：电容器+电阻器+体二极管+ NPN序列（即BJT）

MOS场效应管二极管VF正向电压在规定源电流下，产生体二极管最大正向压降。 如下图所示 p－n结：Tj＝25 ℃ 或Tj＝150 ℃ 二极管典型电流－电压（I-V）特性。 因金属层与p型硅间：接触电阻 > 金属层与n型硅间：接触电阻 P沟道MOS场效应管正向电压VF更高。 高压元件 即>100V最大正向电压=1.6V， 低压元件即<100V最大正向电压值=1.0V 功率耗散 表面温度=25℃ 重要：晶圆温度上升至最高允许值，所允许最大功率耗散。 功率耗散： Tjmax=150℃或175℃ 即元件pn结最高允许温度 元件结到壳热阻RthJC

一个功率MOS场效应管的导通电阻中有多个元件的电阻 功率MOS场效应管内阻 上图字母代表如下： JFET晶体管的电阻RJ 漂移区电阻RD 衬底电阻Rsub 源极扩散电阻Rsource 沟道电阻Rch 积累层电阻RA 连接引线总电阻Rwcml 应用 高压元件：衬底电阻20mΩ-cm晶圆 低压元件：低于5mΩ-cm晶圆 Rwcml源极和漏极金属层与硅片接触面的接触电阻，金属层产生的电阻和引脚框架产生的电阻。 高压元件中，电阻非常小可忽略， 低压元件中，电阻非常大。

MOS场效应管结构中与之相关的阈值电压Vth，它负责在元件中创建导电通道的最小栅极电压，在漏极与源极间允许电流流动，如下图所示，阈值电压高于Vgs栅极驱动器电压数量。t0→t1导通过渡开始点，Id漏极电流=0 Vgs=t1时，即移动到Vth，Id增加， 准阈值电压概念：即为在导通过程中与t1的时间相对应的栅极驱动电压的值。 负温度系数结温度升高，t1量减少。 Lss'上电压发生变化，阈值电压与结温度间的现有关系改变。

英飞凌Infineon 推出新OptiMOS™ TOLx系列产品包：TOLG可提高TCoB稳定性，TOLT可提高热性能 电子踏板车、电子叉车和其他轻型电动汽车（LEV）以及电动工具和电池管理系统等应用，要求高电流额定值、耐用度和延长使用寿命。 英飞凌Infineon 通过向电力系统设计师提供更多选择，以满足不同的设计需求，并在最小空间实现最大性能，从而满足这些要求。英飞凌Infineon 采用了创新型无铅（收费）软件包，现在提供了两款新的OptiMOS™ TOLx系列中的功率MOSFET封装：TOLG（带沟道引线）和TOLT（用于引线顶部冷却）。TOLx系列提供了非常低的R DS（on）和超过300A的高电流额定值，以提高系统在高功率密度设计中的效率。

英飞凌infineon EiceDRIVER™ 1EDB单通道门驱动器IC系列，在小型150 mil 8针DSO封装中集成电流隔离 英飞凌infineon降低复杂性，提高功能性和效率是所有照明制造商的主要议程。在这方面，OSRAM和英飞凌现在联手为业界实现近场通信（NFC）编程。OSRAM新光电® FIT产品系列具有Infineon的NLM0011和NLM0010双模NFC无线配置集成电路（IC）和脉宽调制（PWM）。这将为LED灯具价值链的各个层面带来好处。

英飞凌infineon在6月14日至17日举行的2021年亚太经合组织（APEC）虚拟会议和博览会上展示业界最广泛的电源管理解决方案。凭借跨越硅和宽带隙（WBG）设备的设备组合，工程师们希望Infineon能够找到兼顾性能、效率、可靠性和成本的解决方案。英飞凌的电源解决方案为使生活更轻松、更安全、更环保的创新创造了条件。

MOS场效应管电感功耗=线圈损耗+磁芯损耗 线圈损耗=线圈直流电阻DCR 磁芯损耗=电感磁特性 DCR 电阻公式： Ρ=线圈材料的电阻系数 l =线圈长度 A =线圈横截面积 DCR 值：随着线圈长度增加而增大，随着线圈横截面积增加而减小； 即用以上特点判断感，一个固定电感值，电感尺寸小，要保持相同匝数必须减小线圈的横截面积，因此DCR 增大； 若给定电感尺寸，小电感值即得小DCR； 较少线圈数减少线圈长度，可使用线径较粗导线。 若：DCR值已知和平均电感电流(具体取决于SMPS 拓扑) 电感电阻损耗(PL(DCR))值： PL(DCR)= LAVG2× DCR