功率MOS场效应管作为逆变器装置，应用于用汽车电池供电。 直流变交流电路如下所示： 如上电路所示， 输入电压=12伏直流电 输出电压=100V的交流电 输入和输出电压不定，可以选择任何电压。 它他依赖于变压器使用。 波形输出为方波。 即可得，电路功率=100W。 注意：电路必须按装保险丝。 原因：过多输入电流流动时，振荡器停止。

闩锁效应：指CMOS场效应管电路中，寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地间存在一个低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。 Latch up：指CMOS场效应管晶片中，在电源VDD和地线GND(VSS)间，因寄生PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND间产生大电流； Latch up产生，根据封装密度与集成度有关，这两者越高，可能产生Latch up越大。 Latch up产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏。 IC Layout防范Latch up很重要。

碳化硅MOS场效应管拥优势：低开关损耗 快速开关：可实现系统的高频化，小型化，并提高效率。 高压超快的开关速度：即有超高di/dt，dv/dt，会通过系统的杂散电感，电容形成干扰，对设计工程师带来了新的挑战。 碳化硅MOS场效应管的门极是一个耐压非对称体。 碳化硅MOS场效应管的阈值电压非常低，在超快速的di/dt，dv/dt下，为了避免高速开关带来的串扰，如误开通，门极超压，直通短路等，那么，设计碳化硅MOS场效应管驱动时需要注意。 智能碳化硅MOS场效应管驱动注意事项

场效应管代换注意事项 场效应管击穿或损坏后，不能修复。 1.场效应管代换时，同材料、同规格可代换 2.可用大功率、大电流、高电压的代换小功率、小电流和小电压， 但应注意使用环境和使用条件，不得过大，否则由于电路工作点改变，管子难以正常工作。1.晶体管类型及材料，因NPN型与PNP型晶体管工作时，对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换。 2.晶体管的材料有锗材料和硅材料，它们起始电压不一样。 锗管PN结的导通电压为0.2V左右 硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V

场效应管音频混合器，此电路为两个或多个声道混合成一个声道（如立体声到单声道）。 该电路可根据喜好混合任意多个或任意少个通道，并且功耗非常低。 混音器显示为两个输入，但只需复制示意图上清晰可见的“部分”，即可添加任意数量的输入。 R1，R3 R2，R4=100K 1/4 W电阻器 R5=6.8K 1/4 W电阻器 C1，C2，C3=0.1uF电容器 Q1=2N3819结场效应管音 电线、屏蔽（金属）外壳、唱机或其他输出插头

CMOS场效应管电路输入端是场效应管结构，电压控制+输入阻抗高+不耗电流，手触摸，则电路开关即可接通。稳态触发器=U1+R1+C1 作用：执行延时和消除触摸时的干扰和抖动。 电路输入端第3脚：加二极管VD1为输入端保护二极管 作用：泄放积累的电荷和过高的反向电压。 U1：接成双稳态触发器形式 作用：控制继电器K的接通与断开。

场效应管：一种载流子参与导电+用输入电压控制输出电流的半导体元件 分类： N 沟道+ P 沟道，结型场管+绝缘栅型场管 IGFET（MOSFET） MOS 场效应管：增强型 EMOS +耗尽型 DMOS 每一类 N 沟道+ P 沟道导电 比较：MOSFET 与 BJT MOS 场效应管： 高输入阻抗+电压控制 BJT ：一低阻抗+电流控制型 驱动电路MOS 场效应管： 需要驱动电流很小，可直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。 开关速度快，因多数载流子器件，没有电荷存储效应，在快速度中可工作。 没有二次击穿失效机理，温度越高耐力越强，低热击穿，宽温度范围可有好能。 具有正的电阻温度系数。 漏极源极间寄生二极管可作箝位二极管，在电感性负载开关中有作用。

在逆变器中应用场效应管的电路及注意事项 逆变器：将低压直流电转变为220伏交流电的电子设备。 优势 1.带负载适应性与稳定性强 2.转换效率高、启动快； 3.安全性能好：产品具备短路、过载、过/欠电压、超温5种保护功能； 4.物理性能良好：产品采用全铝质外壳，散热性能好，表面硬氧化处理，耐摩擦性能好，并可抗一定外力的挤压或碰击； 场效应管逆变器电路如下所示: CD4069构成方波信号发生器。R1=补偿电阻 作用：改善震荡频率不稳，此震荡由电源电压变化产生。

如何测量结型场效应管放大能力 如：测量N沟道场效应管 用万用表量R×1k挡，黑表笔接漏极D，红表笔接源极S，正向电源1.5V电压加在场效应管 现在我们来看万用表指针，即漏源极间的电阻值的大小。 用手捏住栅极G，人体有50Hz感应电压，将它作输入信号加在栅极上，PN结耗尽层及沟道的宽度被控制住，因场效应管的放大作用，VDS与ID有变化，即漏源极间的电阻变化。 再看表头指针摆动幅度大，即场效应管放大能力强。 相反，如指针摆动幅度小，即放大能力较弱。 指针无反应，那么无放大能力，即不可用。