米勒效应带来的误开通，如下图所示，MOS场效应管可看作是一个受门极电压控制的开关，当门极电压大于开通阈值时，MOS场效应管就会被开通；而当门极电压低于开通阈值时，功率器件就会被关断，但在实际的应用中，由于器件及外围线路寄生参数的影响，会导致原本关断的功率器件会被误开通。

当MOS场效应管关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)

 

这个位移电流流经Rg, M2 后就会在 Vg上产生一个电压尖峰 (Vspk)，如果这个电压尖峰超过了MOS场效应管的开通阈值，MOSFET 就会被开通，从而导致电路直通甚至损坏。