静电感应型结型场效应晶体管：

（a）横截面

（b）原理图符号

静态感应场效应晶体管即SIT

它是一种短沟道元器件，带有掩埋栅极

如上图，它并不是一种信号比较小的设备图，而是一种功率设备图。

快速开关器件构成：

低栅极电阻 + 低栅极至源极电容

 

静态感应场效应晶体管的能力

为数百安培和数千伏。

频率可高达10 gHz

 

 

金属半导体场效应晶体管即MESFET：

( a）示意图

( b）横截面

栅极是肖特基二极管

它是半导体的金属整流接触。

如上图

N +极和漏极是重掺杂

N-通道是轻度掺杂

MESFET的速度高于JFET的速度。

MESFET是耗尽型器件，一般处于开启状态。

 

用作：30 gHz的微波功率放大器。

MESFET制成：硅，砷化镓，磷化铟，碳化硅和碳的金刚石同素异形体

 

 

 

 

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